FCH104N60F-F085属于SuperFET® II MOSFET 是全新的高压超结 (SJ) MOSFET 系列,利用电荷平衡技术实现出色的低导通电阻,以及更低门极电荷方面的卓越性能。此技术专用于最大程度降低导电损耗,提供卓越的开关性能、dv/dt 速率和更高的雪崩能量。因此,SuperFETII 非常适用于高电压全桥和半桥 DC-DC、交错式升压 PFC、用于 HEV-EV 汽车的升压 PFC 等软开关和硬开关拓扑结构。SuperFET II FRFET® MOSFET 优化的体二极管逆向恢复性能可以消除附加组件,提高系统可靠性。
规格
系列: SuperFET® II
包装: 管件
FET 类型: N 通道
技术: MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss): 600 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 37A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) :10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 104 毫欧 @ 18.5A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 5V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 139 nC @ 10 V
Vgs(最大值): ±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 4302 pF @ 100 V
功率耗散(最大值): 357W(Tc)
工作温度: -55°C ~ 150°C(TJ)
等级: 汽车级
资质: AEC-Q101
安装类型: 通孔
供应商器件封装: TO-247-3
封装/外壳: TO-247-3
产品应用
车载充电器
用于混合动力汽车的车载 DC/DC 转换器
型号
品牌
封装
数量
描述
ST
PowerFLAT™ 5x6
15000
汽车级N沟道80 V、3.15 mOhm典型值、130 A STripFET F7功率MOSFET,PowerFLAT 5x6封装
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