NTMFS6H800NT1G适用于紧凑和高效设计的商用功率 MOSFET,安装在 5x6mm 扁平引线封装中且具有较高的热性能。
技术属性
FET 类型: N 通道
技术: MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss): 80 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 28A(Ta),203A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 6V,10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 2.1 毫欧 @ 50A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 4V @ 330µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 85 nC @ 10 V
Vgs(最大值): ±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 5530 pF @ 40 V
功率耗散(最大值): 3.8W(Ta),200W(Tc)
工作温度: -55°C ~ 175°C(TJ)
安装类型: 表面贴装型
供应商器件封装: 5-DFN(5x6)(8-SOFL)
封装/外壳: 8-PowerTDFN,5 引线
应用
开关电源
电源开关(高压侧驱动器、低压侧驱动器、H 桥等)
48V 系统
型号
品牌
封装
数量
描述
ST
PowerFLAT-4
1000
N 沟道逻辑电平 40 V、最大 2.2 mΩ、167 A STripFET F8 功率 MOSFET,采用 PowerFLAT 5x6 封装
ST
PowerFLAT-4
1000
N 沟道逻辑电平 40 V、最大 2.2 mΩ、167 A STripFET F8 功率 MOSFET,采用 PowerFLAT 5x6 封装
ST
PowerFLAT-4
1000
N 沟道 100 V、5 mΩ typ.、107 A、STripFET™ F7 功率 MOSFET,采用 PowerFLAT™ 5x6 封装
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