NVMYS021N06CLTWG适用于紧凑和高效设计的汽车用功率 MOSFET,采用 5x6mm LFPAK 封装且具有较高的热性能。通过 AEC-Q101 认证的 MOSFET,且符合生产件批准程序 (PPAP),适用于需要更高板级可靠性的汽车应用。
产品属性
产品种类: MOSFET
技术: Si
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: LFPAK-4
晶体管极性: N-Channel
通道数量: 1 Channel
Vds-漏源极击穿电压: 60 V
Id-连续漏极电流: 27 A
Rds On-漏源导通电阻: 21 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压: - 20 V, + 20 V
Vgs th-栅源极阈值电压: 2 V
Qg-栅极电荷: 5 nC
最小工作温度: - 55 C
最大工作温度: + 175 C
Pd-功率耗散: 28 W
通道模式: Enhancement
资格: AEC-Q101
系列: NVMYS021N06CL
配置: Single
下降时间: 1.5 ns
正向跨导 - 最小值: 37 S
上升时间: 12 ns
晶体管类型: 1 N-Channel
典型关闭延迟时间: 12 ns
典型接通延迟时间: 4 ns
应用
反向电池保护
开关电源
电源开关 - 高压侧驱动器、低压侧驱动器、H 桥
型号
品牌
封装
数量
描述
ST
PowerFLAT-4
1000
N 沟道逻辑电平 40 V、最大 2.2 mΩ、167 A STripFET F8 功率 MOSFET,采用 PowerFLAT 5x6 封装
ST
PowerFLAT-4
1000
N 沟道逻辑电平 40 V、最大 2.2 mΩ、167 A STripFET F8 功率 MOSFET,采用 PowerFLAT 5x6 封装
ST
PowerFLAT-4
1000
N 沟道 100 V、5 mΩ typ.、107 A、STripFET™ F7 功率 MOSFET,采用 PowerFLAT™ 5x6 封装
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