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NVMYS021N06CLTWG适用于紧凑和高效设计的汽车用功率 MOSFET，采用 5x6mm LFPAK 封装且具有较高的热性能。通过 AEC-Q101 认证的 MOSFET，且符合生产件批准程序 (PPAP)，适用于需要更高板级可靠性的汽车应用。

产品属性

产品种类: MOSFET

技术: Si

安装风格: SMD/SMT

封装 / 箱体: LFPAK-4

晶体管极性: N-Channel

通道数量: 1 Channel

Vds-漏源极击穿电压: 60 V

Id-连续漏极电流: 27 A

Rds On-漏源导通电阻: 21 mOhms

Vgs - 栅极-源极电压: - 20 V, + 20 V

Vgs th-栅源极阈值电压: 2 V

Qg-栅极电荷: 5 nC

最小工作温度: - 55 C

最大工作温度: + 175 C

Pd-功率耗散: 28 W

通道模式: Enhancement

资格: AEC-Q101

系列: NVMYS021N06CL

配置: Single

下降时间: 1.5 ns

正向跨导 - 最小值: 37 S

上升时间: 12 ns

晶体管类型: 1 N-Channel

典型关闭延迟时间: 12 ns

典型接通延迟时间: 4 ns

应用

反向电池保护

开关电源

电源开关 - 高压侧驱动器、低压侧驱动器、H 桥

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  答：所有上架的在线商品均可在线即可下单，但也考虑到现货库存流动性比较大，目前还无法做到100%的精准。如有异常，您可以在线联系我公司并给出对应的 解决方案。

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  答：可以通过网站上询价，也可以通过电话以及邮箱咨询。

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  答：可以为个人用户开具普通发票，也可以为企业用户开具增值税专用发票。