NVMYS9D3N06CLTWG 是一款适用于紧凑和高效设计的60V汽车功率 MOSFET。该器件采用 5x6mm LFPAK 封装且具有较高的热性能。
产品属性
FET 类型:N 通道
技术:MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss):60 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):14A(Ta),50A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):4.5V,10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值):9.2 毫欧 @ 25A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值):2V @ 35µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值):9.5 nC @ 10 V
Vgs(最大值):20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值):880 pF @ 25 V
FET 功能:-
功率耗散(最大值):3.6W(Ta),46W(Tc)
工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ)
等级:汽车级
资质:AEC-Q101
安装类型:表面贴装型
供应商器件封装:LFPAK4(5x6)
封装/外壳:SOT-1023,4-LFPAK
基本产品编号:NVMYS9D3
型号
品牌
封装
数量
描述
ST
PowerFLAT™ 5x6
15000
汽车级N沟道80 V、3.15 mOhm典型值、130 A STripFET F7功率MOSFET,PowerFLAT 5x6封装
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