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产品分类

AI 处理器

电阻器网络

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商品型号:NTMFD5C446NLT1G

商品名称:NTMFD5C446NLT1G

数据手册:NTMFD5C446NLT1G.PDF

品牌:ON

年份:23+

封装:8-PowerTDFN

货期:全新原装

库存数量:1000

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公司名称:

技术参数

制造商
ON
型号
NTMFD5C446NLT1G
封装
8-PowerTDFN
描述
MOSFET - 功率、双 N 沟道 40 V、2.65mΩ、145 A

产品描述

NTMFD5C446NLT1G 是 40V、145A、2.65mΩ 双 N 沟道功率 MOSFET 晶体管。工业功率 MOSFET 采用 5x6mm 扁平引线封装,专为紧凑型高效设计而设计,具有高散热性能。


产品特性

低导通电阻

高电流能力

100% 经过雪崩测试

小封装(5x6 毫米)

符合 RoHS 规范


终端产品

电源

电动工具

旋转式无人机

电池组和 ESS


应用

电机控制

同步整流

电源开关(高压侧驱动器、低压侧驱动器、H 桥等)

电池管理和保护


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型号

品牌

封装

数量

描述

STL220N6F7

ST

PowerFLAT 5x6

1500

N沟道 60 V,典型值 1.2 mΩ,120 A STripFET F7 功率MOSFET,采用PowerFLAT 5x6封装

IXFH60N50P3

IXYS

TO-247-3

20000

通孔 N 通道 500 V 60A(Tc) 1040W(Tc) TO-247AD(IXFH)

STL135N8F7AG

ST

PowerFLAT™ 5x6

15000

汽车级N沟道80 V、3.15 mOhm典型值、130 A STripFET F7功率MOSFET,PowerFLAT 5x6封装

STW40N95K5

ST

TO-247

8000

N沟道950 V、0.110 Ohm典型值、38 A MDmesh K5功率MOSFET,TO-247封装

STW48N60M6

ST

TO-247-3

1000

N沟道600 V、61 mOhm典型值、39 A MDmesh M6功率MOSFET,TO-247封装

STF22NM60N

ST

TO-220-3

50000

N沟道600 V、0.2 Ohm、16 A MDmesh(TM) II功率MOSFET,TO-220FP封装

NIS5132MN4TXGHW

ON

SOP-8

9000

高性能 N 沟道 MOSFET

IXTP160N10T

IXYS

TO-220-3

15000

通孔 N 通道 100 V 160A(Tc) 430W(Tc) TO-220-3

MRH25N12U3SR

Microchip

SMD

3000

250V 增强型 N 沟道抗辐射MOSFET

MRH15N19U3SR

Microchip

SMD

3000

150V 增强型 N 沟道抗辐射MOSFET

常见问题

  • 1.平台上看到的库存、价格准确吗?

    答:所有上架的在线商品均可在线即可下单,但也考虑到现货库存流动性比较大,目前还无法做到100%的精准。如有异常,您可以在线联系我公司并给出对应的 解决方案。

  • 2.公司商品都是原装正品吗?

    答:我们的自营商品均采自合作的国内外原厂或授权代理商,来源均可追溯,确保原装正品。

  • 3.可以提供原厂或代理的资质证明吗?

    答:目前我们自营代理的品牌包含TI,ST,ADI,NXP,LATTICE,CYPRESS,INFINEON,XILINX等一线品牌,其他渠道均为原厂及代理渠道。如有需要,我们可以针对具体品牌型号来沟通确认。

  • 4.我可以通过公司网站进行询价吗?

    答:可以通过网站上询价,也可以通过电话以及邮箱咨询。

  • 5.下单后什么时候能发货?多久能到?

    答:大部分商品信息中都有标注货期,您可根据货期估计商品的发货时间,具体到货时间根据商品具体所在的仓库、您所选择的物流方式而定。

  • 6.公司能开发票吗?

    答:可以为个人用户开具普通发票,也可以为企业用户开具增值税专用发票。

ON

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