商品名称:XPQR3004PB
数据手册:XPQR3004PB.pdf
品牌:TOSHIBA
年份:23+
封装:8-PowerBSFN
货期:全新原装
库存数量:1000 件
XPQR3004PB 是硅 N 沟道 MOS 晶体管。
产品属性
FET 类型:N 通道
技术:MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss):40 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):400A(Ta)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):6V,10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值):0.3mOhm @ 200A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值):3V @ 1mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值):295 nC @ 10 V
Vgs(最大值):±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值):26910 pF @ 10 V
功率耗散(最大值):750W(Tc)
工作温度:175°C
安装类型:表面贴装型
供应商器件封装:L-TOGL™
封装/外壳:8-PowerBSFN
特性
通过 AEC-Q101 认证
低漏极-源极导通电阻: RDS(ON) = 0.23 mΩ(典型值)(VGS = 10 V)
低漏电流:IDSS = 10µA(最大值)(VDS = 40 V)
增强模式: Vth = 2.0 至 3.0 V(VDS = 10 V,ID = 1.0 mA)
应用
汽车
开关稳压器
电机驱动器
直流-直流转换器
型号
品牌
封装
数量
描述
ST
PowerFLAT-4
1000
N 沟道逻辑电平 40 V、最大 2.2 mΩ、167 A STripFET F8 功率 MOSFET,采用 PowerFLAT 5x6 封装
ST
PowerFLAT-4
1000
N 沟道逻辑电平 40 V、最大 2.2 mΩ、167 A STripFET F8 功率 MOSFET,采用 PowerFLAT 5x6 封装
ST
PowerFLAT-4
1000
N 沟道 100 V、5 mΩ typ.、107 A、STripFET™ F7 功率 MOSFET,采用 PowerFLAT™ 5x6 封装
ST
PowerFLAT-4
1000
N 沟道 100 V、最大 3.2 mΩ、158 A STripFET F8 功率 MOSFET,采用 PowerFLAT 5x6 封装
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CTS521
CTS521小信号肖特基势垒二极管、电压和额定电流,可满足各种设计要求。产品属性产品种类: 肖特基二极管与整流器 产品: Schottky Diodes 安装风格: SMD/SMT 封装 / 箱体: SOD-882-2 配置: Single 技术: Si If - 正向电流: 200 mA Vrrm - 重复反向电压: 30 V Vf - 正向电压…TK10A80E
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TW070J120B,S1Q 专为开关电压调节器应用而设计的第三代碳化硅MOSFET产品规格:FET 类型:N 通道技术:SiCFET(碳化硅)漏源电压(Vdss):1200 V25C 时电流 - 连续漏极 (Id):36A(Tc)驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):20V不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值):90 …TW015N120C,S1F
TW015N120C,S1F N通道 1200V 100A 第三代(内置SiC肖特基势垒二极管)芯片设计而成的MOSFET器件产品规格:FET 类型:N 通道技术:SiCFET(碳化硅)漏源电压(Vdss):1200 V25C 时电流 - 连续漏极 (Id):100A(Tc)驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):18V不同 Id、Vgs …TW140N120C,S1F
TW140N120C,S1F(1200V)第三代(内置SiC肖特基势垒二极管)MOSFET器件有助于降低功耗和提高功率密度。这是由于碳化硅(SiC)技术使器件能够提供更高的电压、更快的开关和更低的导通电阻。应用:• 开关电压调节器产品规格:FET 类型:N 通道技术:SiCFET(碳化硅)漏源电压…TW045N120C,S1F
1200V TW045N120C,S1F是一款第三代(内置SiC肖特基势垒二极管)芯片设计的碳化硅MOSFET器件。这些MOSFET有助于降低功耗和提高功率密度,还能够提供更高的电压、更快的开关和更低的导通电阻。产品规格:FET 类型:N 通道技术:SiCFET(碳化硅)漏源电压(Vdss):1200 V25C …电话咨询:86-755-83294757
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