SCT060HU75G3AG 碳化硅功率MOSFET器件采用ST先进创新的第三代SiC MOSFET技术开发而成。该器件在整个温度范围内具有极低的RDS(on),结合低电容和极高的开关操作,可提高频率、能效、系统尺寸和重量减轻方面的应用性能。
产品属性
FET 类型:N 通道
技术:SiC(碳化硅结晶体管)
漏源电压(Vdss):750 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):30A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):15V,18V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值):78mOhm @ 15A, 18V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值):4.2V @ 1mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值):29 nC @ 18 V
Vgs(最大值):4.2V @ 1mA
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值):680 pF @ 400 V
FET 功能:-
功率耗散(最大值):185W(Tc)
工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ)
安装类型:表面贴装型
供应商器件封装:HU3PAK
封装/外壳:TO-263-8,D2PAK(7 引线 + 凸片),TO-263CA
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描述
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HFA80A-F2Y
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概述:STM32H523ZET6微控制器采用Arm Cortex-M33内核,并搭载面向Armv8-M的TrustZone技术、DSP和浮点单元 (FPU),运行频率高达250 MHz。STM32H523ZET6具有512KB的Flash存储器、272 KB SRAM,采用144引脚的LQFP封装。规格核心处理器:ARM Cortex-M33内核规格:32-位速度:…STM32H523ZEJ6
概述:STM32H523ZEJ6微控制器采用Arm Cortex-M33内核,并搭载面向Armv8-M的TrustZone技术、DSP和浮点单元 (FPU),运行频率高达250 MHz。STM32H523ZEJ6具有512KB的Flash存储器、272 KB SRAM,采用144引脚的UFBGA封装。规格核心处理器:ARM Cortex-M33内核规格:32-位速度:…STM32H523VET6
概述:STM32H523VET6微控制器采用Arm Cortex-M33内核,并搭载面向Armv8-M的TrustZone技术、DSP和浮点单元 (FPU),运行频率高达250 MHz。STM32H523VET6具有512KB的Flash存储器、272 KB SRAM,采用100引脚的LQFP封装。规格核心处理器:ARM Cortex-M33内核规格:32-位速度:…STM32H523VEI6
概述:STM32H523VEI6微控制器采用Arm Cortex-M33内核,并搭载面向Armv8-M的TrustZone技术、DSP和浮点单元 (FPU),运行频率高达250 MHz。STM32H523VEI6具有512KB的Flash存储器、272 KB SRAM,采用100引脚的UFBGA封装。规格核心处理器:ARM Cortex-M33内核规格:32-位速度:…STM32H523RET6
概述:STM32H523RET6 微控制器采用Arm Cortex-M33内核,并搭载面向Armv8-M的TrustZone技术、DSP和浮点单元 (FPU),运行频率高达250 MHz。STM32H523RET6具有512KB的Flash存储器、272 KB SRAM,采用64引脚的LQFP封装。规格核心处理器:ARM Cortex-M33内核规格:32-位速度:…电话咨询:86-755-83294757
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