SCT055W65G3-4AG碳化硅功率 MOSFET 器件采用意法半导体先进的创新型第三代 SiC MOSFET 技术。该器件在整个温度范围内具有极低的 RDS(on)，同时具有低电容和极高的开关操作性能。低电容和极高的开关操作，从而提高了应用在频率、能效和系统性能方面的性能。
产品属性
FET 类型：N 通道
技术：SiC（碳化硅结晶体管）
漏源电压（Vdss）：650 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：30A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：15V，18V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：72 毫欧 @ 15A，18V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：4.2V @ 1mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）：32 nC @ 18 V
Vgs（最大值）：+18V，-5V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：721 pF @ 40 V
功率耗散（最大值）：210W（Tc）
工作温度：-55°C ~ 200°C（TJ）
等级：汽车级
资质：AEC-Q101
安装类型：通孔
供应商器件封装：TO-247-4
封装/外壳：TO-247-4
应用
● 主逆变器（电力牵引）
● 用于电动汽车/混合动力汽车的 DC/DC 转换器
● 车载充电器 (OBC)
型号
品牌
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描述
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STM32H523ZET6
概述：STM32H523ZET6微控制器采用Arm Cortex-M33内核，并搭载面向Armv8-M的TrustZone技术、DSP和浮点单元 (FPU)，运行频率高达250 MHz。STM32H523ZET6具有512KB的Flash存储器、272 KB SRAM，采用144引脚的LQFP封装。规格核心处理器：ARM Cortex-M33内核规格：32-位速度：…
STM32H523ZEJ6
概述：STM32H523ZEJ6微控制器采用Arm Cortex-M33内核，并搭载面向Armv8-M的TrustZone技术、DSP和浮点单元 (FPU)，运行频率高达250 MHz。STM32H523ZEJ6具有512KB的Flash存储器、272 KB SRAM，采用144引脚的UFBGA封装。规格核心处理器：ARM Cortex-M33内核规格：32-位速度：…
STM32H523VET6
概述：STM32H523VET6微控制器采用Arm Cortex-M33内核，并搭载面向Armv8-M的TrustZone技术、DSP和浮点单元 (FPU)，运行频率高达250 MHz。STM32H523VET6具有512KB的Flash存储器、272 KB SRAM，采用100引脚的LQFP封装。规格核心处理器：ARM Cortex-M33内核规格：32-位速度：…
STM32H523VEI6
概述：STM32H523VEI6微控制器采用Arm Cortex-M33内核，并搭载面向Armv8-M的TrustZone技术、DSP和浮点单元 (FPU)，运行频率高达250 MHz。STM32H523VEI6具有512KB的Flash存储器、272 KB SRAM，采用100引脚的UFBGA封装。规格核心处理器：ARM Cortex-M33内核规格：32-位速度：…
STM32H523RET6
概述：STM32H523RET6 微控制器采用Arm Cortex-M33内核，并搭载面向Armv8-M的TrustZone技术、DSP和浮点单元 (FPU)，运行频率高达250 MHz。STM32H523RET6具有512KB的Flash存储器、272 KB SRAM，采用64引脚的LQFP封装。规格核心处理器：ARM Cortex-M33内核规格：32-位速度：…电话咨询：86-755-83294757
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