SCT025W120G3AG 碳化硅功率 MOSFET 器件采用 ST 先进创新的第 3 代 SiC MOSFET 技术开发而成。该器件在整个温度范围内具有极低的 RDS(on) 以及低电容和极高的开关操作,从而提高了应用在频率、能效、系统尺寸和重量减轻方面的性能。
SCT025W120G3AG 的特性:
• 符合 AEC-Q101 标准
• 在整个温度范围内具有极低的 RDS(on)
• 高速开关性能
• 非常快速和稳健的本征体二极管
• 非常高的工作结温能力 (TJ = 200 °C)
应用:
• 主逆变器(电力牵引)
• EV/HEV 用 DC/DC 转换器
• 车载充电器 (OBC)
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