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深圳市明佳达电子有限公司
型号

VSC7427XJG-02 VSC7425XJG-02 88E6190-A0-TLA2C000

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产品分类

集成电路（IC）

以太网 I²C总线开关 I³C 智能开关和扩展器 DDR5 寄存时钟驱动器 接口 - 触控驱动器 RS-232接口集成电路 视频放大器 CAN 收发器 服务器管理处理器 高带宽总线开关 差动放大器 模拟交叉点开关 HDMI发送器 激光驱动器 模拟开关 IC 超声波接收器 多路复用器和解复用器 视频处理器 视频编码器 接口 - 串行数字接口 (SDI) IC AI 芯片 接口 - 重定时器 跨阻放大器 CXL 近内存加速器和内存扩展控制器

物联网/IGBT模组

2G模组 4G模组 5G模组 物联网模组 新能源模组 车规级模组 智能模组 AR/VR 蜂窝物联网模块 卫星通信模块 GNSS 模组 LPWA 模组 物联网芯片

滤波器

可调谐滤波器 带阻滤波器 低通滤波器 带通滤波器 SAW滤波器 BAW滤波器 Wi-Fi 滤波器 2.4GHz Wi-Fi 带通滤波器 有源滤波器​ RF 滤波器 高通滤波器 5GHz Wi-Fi 带通滤波器 6GHz Wi-Fi 带通滤波器

无线连接

Wi-Fi 6 蓝牙IC 蓝牙5.1 蓝牙5.0 蓝牙5.2 无线通信芯片 近场通信（NFC） WiFi蓝牙 Wi-Fi 芯片 超宽带 UWB IC GNSS 接收器 Wi-Fi 4 WiFi 模块 蓝牙低功耗 Wi-Fi 5 Wi-Fi 7 无线通信模块 无线网卡芯片 蓝牙模块 WiFi 无线模块 蓝牙音频SoC

AI 处理器

分立半导体

晶体管 - FET，MOSFET - 单个 双极（BJT）晶体管 碳化硅（SiC）JFET 硅二极管 电源模块 射频晶体管 功率 MOSFET 模块 碳化硅（SIC）FET 模块 碳化硅（SIC）FET P 沟道 MOSFET 晶体管 - 射频 FET，MOSFET MOSFET 模块 晶闸管 二极管阵列模块 MOSFET 晶体管 N 沟道 MOSFET IGBT 晶体管 二极管与整流器 肖特基二极管与整流器 单齐纳二极管 双极晶体管阵列 功率驱动器模块 二极管 - 整流器 - 单 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列

电源管理

氮化镓 (GaN) IC 线性稳压器LDO AC-DC控制器和稳压器 DC-DC电源产品 电压基准 电池管理 升压控制器 以太网供电（PoE）控制器

连接器

LGA 插座连接器 压接线连接器 近栈连接器 ExtremePort Swift连接器 Multi-Trak™ 连接器 VITA 67.3 连接器 SpaceVPX VITA 78连接器 ExtremePort Z-Link 连接器 Displayport连接器 磁性插孔连接器 SAS/PCIe 5.0 连接器 SAS/PCIe 4.0 连接器 Mini USB连接器 SFP112G连接器 MiniSAS HD连接器 OSFP-XD连接器 DSFP连接器 CXP连接器 QSFP连接器 OSFP连接器 SFP连接器 CFP2连接器 Mini Cool Edge IO 连接器 SlimSAS™ 连接器

传感器

电容式传感器 加速度计 磁阻传感器 ​角度传感器 霍尔效应开关 电感式传感器 霍尔效应锁存器和开关 生物传感器 飞行时间传感器 传感器信号调节器 光学传感器 流量传感器 板上安装湿度传感器 生物识别传感器 速度传感器 湿度传感器 霍尔效应电流传感器​ 超声波传感器 光学传感器，光电二极管 湿度、湿敏传感器 ​光学探测器和传感器 - 红外探测器 板上安装温度传感器 气体传感器 位置传感器

存储器

NOR 闪存 非易失性存储器 随机存取存储器RAM 静态随机存取存储器SRAM 同步动态随机存取内存SDRAM 固态硬盘控制器 AI 存储器 F-RAM LPDDR5 uMCP EEPROM 固态硬盘 - SSD 标准串行EEPROM 汽车级串行EEPROM eMMC ​伪静态随机存储器(PSRAM) 可擦除可编程ROM NAND 闪存 通用闪存存储器 - UFS 动态随机存取存储器DRAM 存储器 - 模块

电阻器网络

首页 /集成电路（IC）/功率器件/功率 MOSFET/N-通道功率MOSFET
图片仅供参考，请参阅产品规格
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商品型号：IXFH150N20T

商品名称：N沟道功率MOSFET

品牌：IXYS

年份：25+

封装：TO-247-3

货期：全新原装

库存数量：2000 件

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公司名称：

技术参数

制造商
IXYS
型号
IXFH150N20T
封装
TO-247-3
描述
N沟道增强型功率MOSFET晶体管

产品描述

IXFH150N20T是200V 150A N沟道增强型功率MOSFET晶体管。


IXFH150N20T规格参数

FET类型：N沟道

工艺：MOSFET（金属氧化物）

漏源电压(Vdss)：200 V

持续漏极电流(Id) @ 25°C：150A (Tc)

驱动电压(最大导通电阻, 最小导通电阻)：10V

导通电阻(最大) @ Id, Vgs：15mΩ @ 75A, 10V

阈值电压(最大) @ Id：5V @ 4mA

栅极电荷(Qg)(最大值) @ Vgs:177 nC @ 10 V

Vgs(最大值):±20V

输入电容(Ciss)(最大值) @ Vds:11700 pF @ 25 V

功耗（最大）：890W（Tc）

工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）


IXFH150N20T特性

国际标准封装

雪崩耐受

高电流处理能力

快速内置整流器

低导通电阻


IXFH150N20T优势

易于安装

节省空间

高功率密度


IXFH150N20T应用

DC-DC转换器

电池充电器

开关模式与谐振模式电源

直流斩波器

交流电机驱动器

不间断电源

高速功率开关应用


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型号

品牌

封装

数量

描述

ISC037N12NM6

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ISC032N12LM6

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5000

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IXFH150N17T2

IXYS

TO-247-3

2000

N沟道增强型功率MOSFET晶体管

IPW65R080CFD

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IRF8736TRPBF

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IPB035N12NM6

INFINEON

PG-TO263-3

5000

120V，OptiMOS ™ 6 功率 MOSFET 晶体管，PG-TO263-3

常见问题

  • 1.平台上看到的库存、价格准确吗？

    答：所有上架的在线商品均可在线即可下单，但也考虑到现货库存流动性比较大，目前还无法做到100%的精准。如有异常，您可以在线联系我公司并给出对应的 解决方案。

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IXYS

IXYS

IXYS（中文名： 艾赛斯）总部位于美国硅谷，1983年成立，主营：MOSFET、IGBT、 Thyristor、SCR、整流桥、二极管、DCB块、功率模块、Hybrid、晶体管、逆变器、射频模块和单片机等。业务分布于消费、汽车、医疗、电信、工业和能源领域，产品技术特点为高压、高功率，涵盖了…

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