RBA500N10EHWT-2UA01 N 沟道 MOSFET 场效应晶体管专为大电流开关应用而设计。REXFET-1 100V 技术采用分离栅极结构,可提供低导通电阻。 它减少了电容和栅极电荷,以实现更高效的开关。 得益于该技术,MOSFET可实现高开关速度和低功耗,从而提高能源效率。 此外,RBA500N10EHWT-2UA01还增强了耐用性和可靠性,使其适用于汽车应用,如电源管理系统、电机控制和 DC-DC 转换器。
核心特征
标准电平栅极驱动电压:VGS(th) = 2.0V ~ 4.0V
超低导通电阻:RDS(on) = 0.65mΩ (最大值)
低输入电容
专为汽车应用而设计,符合 AEC-Q101(HTRB、HTGB)标准
核心规格
耐压值:100V
最大电流:500A
导通电阻:0.65mΩ(最大值)
栅极电压:2.0~4.0V(标准驱动电压)
RBA500N10EHWT-2UA01功率器件通过优化开关特性与低导通损耗,可降低整体系统成本并提升能效,适用于高压大电流场景。
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瑞萨科技是世界十大半导体芯片供应商之一,在很多诸如移动通信、汽车电子和PC/AV 等领域获得了全球最高市场份额。瑞萨科技在2003年4月1日正式成立,以领先的科技实现人类的梦想。结合了日立与三菱电机在半导体领域上的丰富经验和专业知识,配合全球二万七千名员工的无限创…
R5F5671CDGFM
R5F5671CDGFM微控制器是Renesas推出的一款适用于实时控制和非接触式HMI应用的32位RX671 MCU,其采用RXv3内核,主频为120MHz, CoreMark 评分707,支持实时操作系统(RTOS)开发。RX671集成瑞萨Trusted Secure IP(TSIP)作为其内置硬件安全引擎的一部分;该引擎包含一个支…R5F5671CDDNE
R5F5671CDDNE微控制器属于Renesas推出的32位RX671 MCU,实现高性能和高能效可支持非接触式HMI功能。该R5F5671CDDNE芯片搭载RXv3内核,性能比同类产品提升约2.1倍,在120MHz时钟下可实现相当于200MHz的性能。其40nm工艺确保了48.8 CoreMark/mA的高能效,适合低功耗场景。其…R5F5671CDDFB
R5F5671CDDFB是一款适用于实时控制和非接触式HMI应用的32 位微控制器,其搭载RXv3内核,性能比同类产品提升约2.1倍,在120MHz时钟下可实现相当于200MHz的性能。得益于家用电器中的电容式触摸感应单元,R5F5671CDDFB RX671 MCU云连接可实现室外远程控制,将使用数据传输给…R5F56719HGFM
R5F56719HGFM RX671微控制器是一款搭载 RXv3 内核,运行频率为120MHz的高性能32位MCU。此外,该芯片还配备了电容式触控传感器(CTSU),可实现高灵敏度和高抗噪性(已通过IEC 61000 4-3/4-6 level3噪声测试)。主要规格产品:R5F56719HGFM核心处理器:RXv3内核规格:32-位速度…R5F56719HDFM
R5F56719HDFM RX671微控制器搭载RXv3内核,性能比同类产品提升约2.1倍,在120MHz时钟下可实现相当于200MHz的性能。其40nm工艺确保了48.8 CoreMark/mA的高能效,适合低功耗场景。以下是其主要规格:核心处理器:RXv3内核规格:32-位速度:120MHz连接能力:I2C,LINbus,QS…R5F56719HDFB
R5F56719HDFB是(Renesas)推出的高性能32位微控制器,基于 RXv3内核 ,主频120MHz,性能达到5.9 CoreMark/MHz,支持1MB闪存和384KB SRAM,适用于物联网设备。以下是R5F56719HDFB的核心参数:核心处理器:RXv3内核规格:32-位速度:120MHz连接能力:CANbus,I2C,LINbus,…电话咨询:86-755-83294757
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