IPB072N15N3G 是英飞凌推出的N沟道增强型功率MOSFET,属于OptiMOS™3系列,采用TO-263-3(D2PAK)封装,适用于高频开关、同步整流及高功率转换应用。该器件具有极低的导通电阻和优异的开关性能,可显著提升系统效率并减少散热需求。
规格参数
产品型号:IPB072N15N3G
漏源电压 (Vdss):150V
连续漏极电流 (Id):100A
导通电阻 (RDS(on)):7.2mΩ @ 10V, 100A
栅极电荷 (Qg):93nC
阈值电压 (Vgs(th)):4V @ 270µA
输入电容 (Ciss):5.47nF
最大功率耗散 (Pd):300W
工作温度范围:-55°C 至 +175°C
封装:TO-263-3 (D2PAK)
应用
IPB072N15N3G适用于多种高功率应用,包括但不限于:
交流-直流开关电源的同步整流:提高电源转换效率。
48V至80V系统的电机控制:如家用车辆、电动工具、卡车等。
隔离的直流-直流转换器:用于电信和数据通信系统。
不间断电源 (UPS):提供高效的电力备份。
Class D音频放大器:实现高功率音频输出。
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