IPB120N10S4-05 N通道汽车用MOSFET符合汽车应用类AEC-Q101标准,有多种封装可供选择,包括D-PAK、TOLL (HSOF-8)、TOLG (HSOG-8) 以及SSO8 (TDSON-8)。这些MOSFET非常适合用于燃油喷射系统、车载无线充电应用以及称为Board Net的C02减排48V电源子系统。
特征描述
N 通道正常电平 - 增强模式
AEC 101 认证
MSL1 峰值回流温度高达 260°C
175°C 的工作温度
环保产品(符合 RoHS )
100% 经过雪崩测试
产品属性
FET 类型: N 通道
技术: MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss): 100 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) :120A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 5 毫欧 @ 100A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 3.5V @ 120µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 91 nC @ 10 V
Vgs(最大值): ±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 6540 pF @ 25 V
FET 功能: -
功率耗散(最大值): 190W(Tc)
工作温度: -55°C ~ 175°C(TJ)
安装类型: 表面贴装型
供应商器件封装: PG-TO263-3
封装/外壳: TO-263-3,D²Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB
型号
品牌
封装
数量
描述
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SAK-TC1791F-512F240EP AB
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S25HS512TDPBHV013 - 133MHz、512Mbit SEMPER™ NOR 闪存存储器IC,FBGA-24S25HS512TDPBHV013 - 产品描述: S25HS512TDPBHV013 是 SEMPER™ NOR 闪存系列中的一员,具有 512 Mbit 的密度和 Quad SPI 接口。这款高速存储器件的接口带宽为 66 MByte/s,工作电压为 1.8 V,支…S25HL512TFABHV013
S25HL512TFABHV013 - 166MHz、512Mbit SEMPER™ NOR 闪存存储器IC,FBGA-24S25HL512TFABHV013 - 产品描述: S25HL512TFABHV013 是英飞凌 SEMPER™ NOR 闪存系列中的一款 512Mbit 存储模块。该芯片组采用英飞凌最先进的 45 纳米 MIRRORBIT™ 技术,具有四 SPI 接口,带宽为…电话咨询:86-755-83294757
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