IPG20N04S4L-11 - 汽车 MOSFET - 深圳市明佳达电子有限公司

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商品型号：IPG20N04S4L-11

商品名称：汽车 MOSFET

品牌：INFINEON

年份：25+

封装：PG-TDSON-8

货期：全新原装

库存数量：35000 件

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公司名称：

技术参数

制造商

INFINEON

型号

IPG20N04S4L-11

封装

PG-TDSON-8

描述

40V，双 N-Ch，最大 11.6 mΩ，汽车 MOSFET，双 SS08 (5x6)，OptiMOS™-T2

产品描述

英飞凌IPG20N04S4L-11是一款双N沟道逻辑电平增强型功率MOSFET，属于 OptiMOS™ T2 系列，采用 PG-TDSON-8-4 封装。该器件具有超低导通电阻（R<sub>DS(on)</sub> = 10.1mΩ）和高电流承载能力（20A），适用于汽车电子、工业控制、轻负载开关等应用。

IPG20N04S4L-11产品特性

双N沟道MOSFET：支持逻辑电平增强模式，提供卓越的导通性能。

低导通电阻：最大导通电阻为11.6mΩ，确保高效功率传输。

高电流承载能力：支持最大20A的连续漏极电流。

耐压值：漏源电压（Vdss）为40V，适用于多种电源管理应用。

封装形式：采用PG-TDSON-8-4封装，具有良好的热性能和电气性能。

环保合规：符合RoHS标准，支持无铅工艺。

工作温度范围：-55℃至+175℃，适用于恶劣环境。

IPG20N04S4L-11关键参数

导通电阻（RDS(on)）：11.6mΩ @ 10V, 17A

耗散功率（Pd）：41W

阈值电压（Vgs(th)）：2.2V

栅极电荷量（Qg）：26nC @ 10V

输入电容（Ciss）：1.99nF @ 25V

反向传输电容（Crss）：30pF @ 25V

IPG20N04S4L-11潜在应用

小型负载控制开关

车身应用

常见问题

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答：所有上架的在线商品均可在线即可下单，但也考虑到现货库存流动性比较大，目前还无法做到100%的精准。如有异常，您可以在线联系我公司并给出对应的解决方案。
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答：我们的自营商品均采自合作的国内外原厂或授权代理商，来源均可追溯，确保原装正品。
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答：可以通过网站上询价，也可以通过电话以及邮箱咨询。
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答：可以为个人用户开具普通发票，也可以为企业用户开具增值税专用发票。