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英飞凌IPG20N04S4L-11是一款 双N沟道逻辑电平增强型功率MOSFET，属于 OptiMOS™ T2 系列，采用 PG-TDSON-8-4 封装。该器件具有 超低导通电阻（R_DS(on) = 10.1mΩ） 和 高电流承载能力（20A），适用于汽车电子、工业控制、轻负载开关等应用。

IPG20N04S4L-11产品特性

双N沟道MOSFET：支持逻辑电平增强模式，提供卓越的导通性能。

低导通电阻：最大导通电阻为11.6mΩ，确保高效功率传输。

高电流承载能力：支持最大20A的连续漏极电流。

耐压值：漏源电压（Vdss）为40V，适用于多种电源管理应用。

封装形式：采用PG-TDSON-8-4封装，具有良好的热性能和电气性能。

环保合规：符合RoHS标准，支持无铅工艺。

工作温度范围：-55℃至+175℃，适用于恶劣环境。

IPG20N04S4L-11关键参数

导通电阻（RDS(on)）：11.6mΩ @ 10V, 17A

耗散功率（Pd）：41W

阈值电压（Vgs(th)）：2.2V

栅极电荷量（Qg）：26nC @ 10V

输入电容（Ciss）：1.99nF @ 25V

反向传输电容（Crss）：30pF @ 25V

IPG20N04S4L-11潜在应用

小型负载控制开关

车身应用

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