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IPC100N04S5-2R8是一款汽车级 N 沟道增强型功率 MOSFET，属于 OptiMOS™-5 系列，采用 PG-TDSON-8 封装形式，具备低导通电阻、高耐压、大电流承载能力和快速开关速度等特点，符合 AEC-Q101 标准，专为汽车应用设计，能够满足汽车电子系统对功率、效率和可靠性的严格要求。

产品特点

符合汽车级标准 ：通过 AEC-Q101 认证，确保在汽车应用中的稳定性和可靠性。

低导通电阻 ：最大导通电阻仅为 2.8mΩ（V_GS=10V，I_D=50A），有助于降低功率损耗，提高系统效率。

高耐压性能 ：漏源耐压为 40V，能够满足汽车电气系统中的电压要求。

大电流承载能力 ：最大连续漏极电流可达 100A（T_C=25℃，V_GS=10V），短时脉冲电流可达 400A，适用于高功率应用。

快速开关速度 ：具备快速的开关特性，有助于提高系统的动态响应能力，其典型接通延迟时间为 6ns，典型关断延迟时间为 11ns。

出色的热性能 ：工作温度范围为 -55℃至 +175℃，能够适应汽车各种恶劣的工作环境，热阻抗低，有助于散热。

环保特性 ：符合 RoHS 标准，属于绿色产品。

IPC100N04S5-2R8产品属性

 FET 类型：N 通道  

技术： MOSFET（金属氧化物）  

漏源电压（Vdss）： 40 V  

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 100A（Tc）  

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） ：7V，10V  

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 2.8 毫欧 @ 50A，10V  

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3.4V @ 30µA  

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 45 nC @ 10 V  

Vgs（最大值）： ±20V  

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 2600 pF @ 25 V  

功率耗散（最大值）： 75W（Tc）  

工作温度： -55°C ~ 175°C（TJ）  

等级： 汽车级  

资质： AEC-Q101  

安装类型： 表面贴装型  

供应商器件封装： PG-TDSON-8-34  

封装/外壳： 8-PowerTDFN 

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