IPC100N04S5L-1R5是OptiMOS™系列汽车级功率MOSFET,属于N沟道增强型器件,专为高可靠性、高效率的汽车电子应用设计。其核心优势包括极低的导通电阻(RDS(on))、高电流承载能力(100A)以及AEC-Q101认证,适用于严苛的汽车环境。
功能特点 - IPC100N04S5L-1R5
OptiMOS™ - 用于汽车应用的功率 MOSFET
N 沟道 - 增强模式 - 逻辑电平
通过 AEC Q101 认证
MSL1 峰值回流温度高达 260°C
175°C 工作温度
绿色产品(符合 RoHS 规范)
100% 通过雪崩测试
产品属性 - IPC100N04S5L-1R5
系列: OptiMOS™
FET 类型: N 通道
技术: MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss): 40 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 100A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 4.5V,10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 1.5 毫欧 @ 50A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 2V @ 60µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 95 nC @ 10 V
Vgs(最大值): ±16V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 5340 pF @ 25 V
功率耗散(最大值): 115W(Tc)
工作温度: -55°C ~ 175°C(TJ)
等级: 汽车级
资质: AEC-Q101
安装类型: 表面贴装型
供应商器件封装: PG-TDSON-8-34
封装/外壳: 8-PowerTDFN
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