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SCT016H120G3AG器件是一款1200 V 汽车级碳化硅功率 MOSFET 晶体管，采用ST先进的第三代SiC MOSFET技术开发而成，具有高开关速度和坚固的内建体二极管，适用于高频应用。此外，SCT016H120G3AG符合AEC-Q101标准，适用于汽车电子领域。

技术参数

产品：SCT016H120G3AG

封装 / 箱体：H2PAK-7

晶体管极性：N-Channel

通道数量：1 Channel

Vds-漏源极击穿电压：1.2 kV

Id-连续漏极电流：112 A

Rds On-漏源导通电阻：22 mOhms

Vgs - 栅极-源极电压：- 10 V, + 22 V

Vgs th-栅源极阈值电压：3 V

Qg-栅极电荷：150 nC

最小工作温度：- 55 C

最大工作温度：+ 175 C

Pd-功率耗散：652 W

通道模式：Enhancement

资格：AEC-Q101

配置：Single

下降时间：23 ns

封装：Reel

封装：Cut Tape

封装：MouseReel

产品：SiC MOSFETS

产品类型：SiC MOSFETS

上升时间：22 ns

典型关闭延迟时间：126 ns

典型接通延迟时间：46 ns

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