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产品分类

AI 处理器

AI 加速器

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商品型号:SCT016H120G3AG

商品名称:汽车 MOSFET

品牌:ST

年份:25+

封装:H2PAK-7

货期:全新原装

库存数量:2000

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技术参数

制造商
ST
型号
SCT016H120G3AG
封装
H2PAK-7
描述
1200 V 汽车级碳化硅功率 MOSFET 晶体管

产品描述

SCT016H120G3AG器件是一款1200 V 汽车级碳化硅功率 MOSFET 晶体管,采用ST先进的第三代SiC MOSFET技术开发而成,具有高开关速度和坚固的内建体二极管,适用于高频应用。此外,SCT016H120G3AG符合AEC-Q101标准,适用于汽车电子领域。


技术参数

产品:SCT016H120G3AG

封装 / 箱体:H2PAK-7

晶体管极性:N-Channel

通道数量:1 Channel

Vds-漏源极击穿电压:1.2 kV

Id-连续漏极电流:112 A

Rds On-漏源导通电阻:22 mOhms

Vgs - 栅极-源极电压:- 10 V, + 22 V

Vgs th-栅源极阈值电压:3 V

Qg-栅极电荷:150 nC

最小工作温度:- 55 C

最大工作温度:+ 175 C

Pd-功率耗散:652 W

通道模式:Enhancement

资格:AEC-Q101

配置:Single

下降时间:23 ns

封装:Reel

封装:Cut Tape

封装:MouseReel

产品:SiC MOSFETS

产品类型:SiC MOSFETS

上升时间:22 ns

典型关闭延迟时间:126 ns

典型接通延迟时间:46 ns


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品牌

封装

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描述

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ST

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