IPDD60R037CM8一款600 V CoolMOS™ 8 SJ MOSFET 系列是 600 V CoolMOS™ 7 MOSFET 系列(包括 P7、S7、CFD7、C7 (G7) 和 PFD7)的后续产品。
它的栅极电荷 (Qg) 比 CFD7 降低了 20%,关断损耗 (Eoss) 比 CFD7 进一步降低了 12%,反向恢复电荷 (Qrr) 比 CFD7 降低了 3%,反向恢复时间 (trr) 也是市场上最低的。
参数描述
制造商: Infineon
产品种类: MOSFET
技术: Si
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: HDSOP-10
晶体管极性: N-Channel
通道数量: 1 Channel
Vds-漏源极击穿电压: 600 V
Id-连续漏极电流: 72 A
Rds On-漏源导通电阻: 37 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压: - 20 V, + 20 V
Vgs th-栅源极阈值电压: 4.7 V
Qg-栅极电荷: 79 nC
最小工作温度: - 55 C
最大工作温度: + 150 C
Pd-功率耗散: 416 W
通道模式: Enhancement
商标名: CoolMOS
系列: 600V CM8
配置: Single
下降时间: 5.8 ns
上升时间: 7.6 ns
晶体管类型: 1 N-Channel
典型关闭延迟时间: 101.6 ns
典型接通延迟时间: 20.6 ns
潜在应用
• 电源和转换器
• PFC级和LLCresonant转换器
• 高能效开关应用
• 例如:服务器、电信、EVC 充电、UPS
型号
品牌
封装
数量
描述
INFINEON
PG-HDSOP-22
1000
600 V CoolMOS™ S7T SJ MOSFET,集成温度传感器,采用 Q-DPAK TSC (PG-HDSOP-22)
INFINEON
PG-HDSOP-22
1000
600 V CoolMOS™ S7T SJ MOSFET,集成温度传感器,采用 Q-DPAK TSC (PG-HDSOP-22)
INFINEON
PG-HDSOP-22
1000
600 V CoolMOS™ S7T SJ MOSFET,集成温度传感器,采用 Q-DPAK BSC (PG-HDSOP-22)
INFINEON
PG-HDSOP-22
1000
600 V CoolMOS™ S7T SJ MOSFET,集成温度传感器,采用 Q-DPAK BSC (PG-HDSOP-22)
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