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深圳市明佳达电子有限公司
型号

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产品分类

集成电路（IC）

以太网 汽车系统芯片 安全与认证IC 均衡器/驱动器/中继器 PCI 接口 IC ​PCIe交换机 接口 - 多协议收发器 电力线收发器 锁相环 - PLL 射频采样收发器 逻辑 - 电平转换器 接口IC - 多速率重定时器 SAS 扩展器 时钟/计时，振荡器 时钟/定时 - 纳米定时器 数字交叉点开关 超声波收发器 时钟/定时 - 延迟线 读卡器控制器 逻辑 - 门和反相器 发射器 隔离式比较器 高速比较器 接口 - 多速率定时器

物联网/IGBT模组

2G模组 4G模组 5G模组 物联网模组 新能源模组 车规级模组 智能模组 AR/VR 蜂窝物联网模块 卫星通信模块 GNSS 模组 LPWA 模组 物联网芯片 无线通信模块

滤波器

SAW滤波器 BAW滤波器 Wi-Fi 滤波器 2.4GHz Wi-Fi 带通滤波器 有源滤波器​ RF 滤波器 高通滤波器 5GHz Wi-Fi 带通滤波器 6GHz Wi-Fi 带通滤波器

无线连接

Wi-Fi 6 蓝牙IC 蓝牙5.1 蓝牙5.0 蓝牙5.2 Wi-Fi 芯片 超宽带 UWB IC GNSS 接收器 Wi-Fi 4 WiFi 模块 蓝牙低功耗 Wi-Fi 5 Wi-Fi 7 无线网卡芯片 蓝牙模块 WiFi 无线模块 蓝牙音频SoC

AI 处理器

分立半导体

晶体管 - FET，MOSFET - 单个 电源模块 射频晶体管 功率 MOSFET 模块 碳化硅（SIC）FET 模块 碳化硅（SIC）FET P 沟道 MOSFET 晶体管 - 射频 FET，MOSFET MOSFET 模块 晶闸管 二极管阵列模块 MOSFET 晶体管 N 沟道 MOSFET IGBT 晶体管 二极管与整流器 肖特基二极管与整流器 单齐纳二极管 双极晶体管阵列 功率驱动器模块 二极管 - 整流器 - 单 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 晶体管 - IGBT - 模块 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单

电源管理

氮化镓 (GaN) IC 线性稳压器LDO AC-DC控制器和稳压器 DC-DC电源产品 电压基准 电池管理 以太网供电（PoE）控制器

连接器

电缆组件 模块连接器 插拔式连接器 电源连接器 AI 连接器 USB连接器 圆形连接器 汽车连接器 卡边缘连接器 板对板与夹层连接器 FFC、FPC（扁平柔性）连接器 背板连接器 矩形连接器 射频连接器 矩形连接器 - 阵列，边缘型，夹层式（板对板）

传感器

生物传感器 飞行时间传感器 传感器信号调节器 光学传感器 流量传感器 板上安装湿度传感器 生物识别传感器 速度传感器 湿度传感器 霍尔效应电流传感器​ 超声波传感器 光学传感器，光电二极管 湿度、湿敏传感器 ​光学探测器和传感器 - 红外探测器 板上安装温度传感器 气体传感器 位置传感器 工业毫米波雷达传感器 汽车毫米波雷达传感器 图像传感器 雷达传感器 运动传感器 - 陀螺仪 超声波接收器、发射器（距离测量） 传感器模块

存储器

NOR 闪存 非易失性存储器 随机存取存储器RAM 静态随机存取存储器SRAM 同步动态随机存取内存SDRAM AI 存储器 F-RAM LPDDR5 uMCP EEPROM 固态硬盘 - SSD 标准串行EEPROM 汽车级串行EEPROM eMMC ​伪静态随机存储器(PSRAM) 可擦除可编程ROM NAND 闪存 通用闪存存储器 - UFS 动态随机存取存储器DRAM 存储器 - 模块

AI 加速器

首页 /集成电路（IC）/功率器件/功率 MOSFET/N-通道功率MOSFET
图片仅供参考，请参阅产品规格
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商品型号：IQFH36N04NM6

商品名称：N-通道功率MOSFET

品牌：INFINEON

年份：24+

封装：PG-TSON-12

货期：全新原装

库存数量：1000 件

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公司名称：

技术参数

制造商
INFINEON
型号
IQFH36N04NM6
封装
PG-TSON-12
描述
采用紧凑型高性能 PQFN 8x6 封装的 OptiMOS™ 6 40 V 功率 MOSFET

产品描述

IQFH36N04NM6 OptiMOS™ 6 40 V 功率 MOSFET 采用紧凑型、高性能 PQFN 8x6 封装，具有业内基准 RDS(on) 值。


这款 40 V 正常电平功率 MOSFET 采用我们最新的创新型紧凑型夹式 PQFN 8x6 mm2 封装，具有极高的电流和功率水平。该器件具有当前业界最佳的 0.36 mΩ RDS(on)，并具有出色的热性能。


这为电池供电应用、电池管理、低压驱动和 SMPS 等各种终端应用带来了更高的系统效率和功率密度。


参数： IQFH36N04NM6 

最大内径（25°C 时）： 656 A 

最低和最高工作温度： -55 °C 175 °C 

封装： PQFN 8x6 

极性： N 

QG（典型值 @10V）： 206 nC 

RDS（导通）（10V 时）最大值： 0.36 mΩ 

VDS 最大值： 40 V 

VGS(th) 最小值 最大值： 2.3 V 1.8 V 2


特性描述

尖端 OptiMOS™ 硅技术

高芯片/封装比

超高电流，占用空间小

超低封装寄生

优化的引线框架和 Cu-Clip 设计

与 PQFN 5x6 基底面兼容

布局紧凑，减少并联

相关联产品

型号

品牌

封装

数量

描述

STW65N045M9-4

ST

TO-247-4

3000

N沟道650 V，39 mOhm典型值，54 A MDmesh M9功率MOSFET，TO-247-4

IPDD60R037CM8

INFINEON

PG-HDSOP-10

1000

600 V CoolMOS™ 8 功率晶体管

IPW60R016CM8

INFINEON

TO-247-3

2000

600V CoolMOS™ 8 功率 MOSFET 晶体管

IPDQ60T017S7

INFINEON

PG-HDSOP-22

1000

600 V CoolMOS™ S7T SJ MOSFET，集成温度传感器，采用 Q-DPAK TSC (PG-HDSOP-22)

IPDQ60T022S7

INFINEON

PG-HDSOP-22

1000

600 V CoolMOS™ S7T SJ MOSFET，集成温度传感器，采用 Q-DPAK TSC (PG-HDSOP-22)

IPQC60T022S7

INFINEON

PG-HDSOP-22

1000

600 V CoolMOS™ S7T SJ MOSFET，集成温度传感器，采用 Q-DPAK BSC (PG-HDSOP-22)

IPQC60T017S7

INFINEON

PG-HDSOP-22

1000

600 V CoolMOS™ S7T SJ MOSFET，集成温度传感器，采用 Q-DPAK BSC (PG-HDSOP-22)

ISCH42N04LM7

INFINEON

PG‑TDSON‑8

1000

采用 PQFN 5x6 封装的下一代同类最佳 OptiMOS™ 7 40 V 功率 MOSFET

IQFH39N04NM6

INFINEON

PG-TSON-12

1000

OptiMOS™ 6 40 V 功率 MOSFET，采用超低 RDS(on) 的紧凑型高性能 PQFN 8x6 封装

IQFH55N04NM6

INFINEON

PG-TSON-12

1000

OptiMOS™ 6 40 V 功率 MOSFET，采用超低 RDS(on) 的紧凑型高性能 PQFN 8x6 封装

常见问题

  • 1.平台上看到的库存、价格准确吗？

    答：所有上架的在线商品均可在线即可下单，但也考虑到现货库存流动性比较大，目前还无法做到100%的精准。如有异常，您可以在线联系我公司并给出对应的 解决方案。

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    答：我们的自营商品均采自合作的国内外原厂或授权代理商，来源均可追溯，确保原装正品。

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    答：目前我们自营代理的品牌包含TI，ST，ADI，NXP，LATTICE，CYPRESS，INFINEON，XILINX等一线品牌，其他渠道均为原厂及代理渠道。如有需要，我们可以针对具体品牌型号来沟通确认。

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    答：可以通过网站上询价，也可以通过电话以及邮箱咨询。

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INFINEON

INFINEON

英飞凌科技公司于1999年4月1日在德国慕尼黑正式成立，是全球领先的半导体公司之一。其前身是西门子集团的半导体部门，于1999年独立，2000年上市。其中文名称为亿恒科技，2002年后更名为英飞凌科技。 总部位于德国Neubiberg的英飞凌科技股份公司，为现代社会的三大科技挑…

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