IQFH36N04NM6 OptiMOS™ 6 40 V 功率 MOSFET 采用紧凑型、高性能 PQFN 8x6 封装,具有业内基准 RDS(on) 值。
这款 40 V 正常电平功率 MOSFET 采用我们最新的创新型紧凑型夹式 PQFN 8x6 mm2 封装,具有极高的电流和功率水平。该器件具有当前业界最佳的 0.36 mΩ RDS(on),并具有出色的热性能。
这为电池供电应用、电池管理、低压驱动和 SMPS 等各种终端应用带来了更高的系统效率和功率密度。
参数: IQFH36N04NM6
最大内径(25°C 时): 656 A
最低和最高工作温度: -55 °C 175 °C
封装: PQFN 8x6
极性: N
QG(典型值 @10V): 206 nC
RDS(导通)(10V 时)最大值: 0.36 mΩ
VDS 最大值: 40 V
VGS(th) 最小值 最大值: 2.3 V 1.8 V 2
特性描述
尖端 OptiMOS™ 硅技术
高芯片/封装比
超高电流,占用空间小
超低封装寄生
优化的引线框架和 Cu-Clip 设计
与 PQFN 5x6 基底面兼容
布局紧凑,减少并联
型号
品牌
封装
数量
描述
INFINEON
PG-HDSOP-22
1000
600 V CoolMOS™ S7T SJ MOSFET,集成温度传感器,采用 Q-DPAK TSC (PG-HDSOP-22)
INFINEON
PG-HDSOP-22
1000
600 V CoolMOS™ S7T SJ MOSFET,集成温度传感器,采用 Q-DPAK TSC (PG-HDSOP-22)
INFINEON
PG-HDSOP-22
1000
600 V CoolMOS™ S7T SJ MOSFET,集成温度传感器,采用 Q-DPAK BSC (PG-HDSOP-22)
INFINEON
PG-HDSOP-22
1000
600 V CoolMOS™ S7T SJ MOSFET,集成温度传感器,采用 Q-DPAK BSC (PG-HDSOP-22)
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