IQFH39N04NM6是OptiMOS™ 6 40 V 功率 MOSFET,采用紧凑型高性能 PQFN 8x6 封装,具有超低 RDS(on)。
参数: IQFH39N04NM6
ID (@25°C) 最大: 600 A
最低和最高工作温度: -55 °C 175 °C
封装: PQFN 8x6
极性: N
QG(典型值 @10V): 182 nC
RDS(导通)(@10V): 最大 0.39 mΩ
VDS 最大值: 40 V
VGS(th) 最小值 最大值: 2.3 V 1.8 V 2.8 V
优势
传导损耗最小
高功率能力
卓越的器件性能
降低电压过冲
优异的热性能
可重复使用多功率等级电路板
优异的开关性能/EMI
这为电池供电应用、电池管理、低压驱动和 SMPS 等各种终端应用提供了更高的系统效率和功率密度。
型号
品牌
封装
数量
描述
INFINEON
PG-HDSOP-22
1000
600 V CoolMOS™ S7T SJ MOSFET,集成温度传感器,采用 Q-DPAK TSC (PG-HDSOP-22)
INFINEON
PG-HDSOP-22
1000
600 V CoolMOS™ S7T SJ MOSFET,集成温度传感器,采用 Q-DPAK TSC (PG-HDSOP-22)
INFINEON
PG-HDSOP-22
1000
600 V CoolMOS™ S7T SJ MOSFET,集成温度传感器,采用 Q-DPAK BSC (PG-HDSOP-22)
INFINEON
PG-HDSOP-22
1000
600 V CoolMOS™ S7T SJ MOSFET,集成温度传感器,采用 Q-DPAK BSC (PG-HDSOP-22)
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