STW65N045M9-4 - N-通道功率MOSFET - 深圳市明佳达电子有限公司

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商品型号：STW65N045M9-4

商品名称：N-通道功率MOSFET

品牌：ST

年份：24+

封装：TO-247-4

货期：全新原装

库存数量：3000 件

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公司名称：

技术参数

制造商

型号

STW65N045M9-4

封装

TO-247-4

描述

N沟道650 V，39 mOhm典型值，54 A MDmesh M9功率MOSFET，TO-247-4

产品描述

STW65N045M9-4是一款650 V，39 mOhm典型值，54 A单N沟道MDmesh M9功率MOSFET，采用4引脚TO-247封装。

说明：

该N沟道功率MOSFET基于创新超结MDmesh M9技术，该技术适用于单位面积导通电阻RDS(on)非常低的中/高电压MOSFET。基于硅的M9技术采用多漏制造工艺，增强了器件结构。在所有硅基快速开关超结功率MOSFET中，运用此工艺制造的产品具有较低的导通电阻并降低了栅极电荷值，特别适合需要超高功率密度和出色效率的应用。

STW65N045M9-4的规格：

FET 类型：N 通道

技术：MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss）：650 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：54A（Tc）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：45 毫欧 @ 28A， 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：4.2V @ 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）：80 nC @ 10 V

Vgs（最大值）：±30V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：4610 pF @ 400 V

FET 功能：-

功率耗散（最大值）：312W（Tc）

工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）

安装类型：通孔

供应商器件封装：TO-247-4

封装/外壳：TO-247-4

常见问题

1.平台上看到的库存、价格准确吗？

答：所有上架的在线商品均可在线即可下单，但也考虑到现货库存流动性比较大，目前还无法做到100%的精准。如有异常，您可以在线联系我公司并给出对应的解决方案。
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答：我们的自营商品均采自合作的国内外原厂或授权代理商，来源均可追溯，确保原装正品。
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答：可以通过网站上询价，也可以通过电话以及邮箱咨询。
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答：可以为个人用户开具普通发票，也可以为企业用户开具增值税专用发票。

ST

意法半导体（ST）集团于1987年成立，是由意大利的SGS微电子公司和法国Thomson半导体公司合并而成。1998年5月，SGS-THOMSON Microelectronics将公司名称改为意法半导体有限公司。意法半导体是世界最大的半导体公司之一。公司2019年全年净营收95.6亿美元; 毛利率38.7%；营业…