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AI 处理器

分立半导体

晶体管 - FET，MOSFET - 单个 电源模块 射频晶体管 功率 MOSFET 模块 碳化硅（SIC）FET 模块 碳化硅（SIC）FET P 沟道 MOSFET 晶体管 - 射频 FET，MOSFET MOSFET 模块 晶闸管 二极管阵列模块 MOSFET 晶体管 N 沟道 MOSFET IGBT 晶体管 二极管与整流器 肖特基二极管与整流器 单齐纳二极管 双极晶体管阵列 功率驱动器模块 二极管 - 整流器 - 单 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 晶体管 - IGBT - 模块 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单

电源管理

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AI 加速器

首页 /集成电路（IC）/功率器件/功率 MOSFET/N-通道功率MOSFET
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商品型号：IPQC60T017S7

商品名称：N-通道功率MOSFET

品牌：INFINEON

年份：24+

封装：PG-HDSOP-22

货期：全新原装

库存数量：1000 件

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公司名称：

技术参数

制造商
INFINEON
型号
IPQC60T017S7
封装
PG-HDSOP-22
描述
600 V CoolMOS™ S7T SJ MOSFET，集成温度传感器，采用 Q-DPAK BSC (PG-HDSOP-22)

产品描述

带有嵌入式温度传感器的 CoolMOS™ S7T 提高了结温感应的准确性和稳健性，同时实现了简便的实施。该器件针对低频和大电流开关应用进行了优化。它是固态继电器、断路器设计和 SMPS 中线路整流的理想选择。


温度传感器增强了 CoolMOS™ S7 的功能，使功率晶体管得到最佳利用。


IPQC60T017S7— 表面贴装型 N 通道 600 V 113A（Tc） 500 W（Tc） PG-HDSOP-22


IPQC60T017S7产品属性：

制造商： Infineon Technologies  

系列： CoolMOS™  

FET 类型： N 通道  

技术： MOSFET（金属氧化物）  

漏源电压（Vdss）： 600 V  

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) ：113A（Tc）  

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 12V  

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 17 毫欧 @ 29A，12V  

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4.5V @ 1.88mA  

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 196 nC @ 12 V  

Vgs（最大值）： ±20V  

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 7370 pF @ 300 V  

功率耗散（最大值）： 500W（Tc）  

工作温度： -55°C ~ 150°C（TJ）  

安装类型： 表面贴装型  

供应商器件封装： PG-HDSOP-22  

封装/外壳： 22-PowerBSOP 模块 

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描述

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INFINEON

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1000

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INFINEON

TO-247-3

2000

600V CoolMOS™ 8 功率 MOSFET 晶体管

IPDQ60T017S7

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600 V CoolMOS™ S7T SJ MOSFET，集成温度传感器，采用 Q-DPAK TSC (PG-HDSOP-22)

IPDQ60T022S7

INFINEON

PG-HDSOP-22

1000

600 V CoolMOS™ S7T SJ MOSFET，集成温度传感器，采用 Q-DPAK TSC (PG-HDSOP-22)

IPQC60T022S7

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INFINEON

PG-TSON-12

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采用紧凑型高性能 PQFN 8x6 封装的 OptiMOS™ 6 40 V 功率 MOSFET

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