SPA16N50C3 500V CoolMOS™ C3 是英飞凌第三个 CoolMOS™ 系列产品,C3 是产品组合中的主力军。
规格
制造商: Infineon Technologies
系列:CoolMOS™
包装: 管件
FET 类型: N 通道
技术: MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss): 560 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 16A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 280 毫欧 @ 10A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 3.9V @ 675µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 66 nC @ 10 V
Vgs(最大值): ±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 1600 pF @ 25 V
功率耗散(最大值): 34W(Tc)
工作温度: -55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型: 通孔
供应商器件封装: PG-TO220-3-31
封装/外壳: TO-220-3 整包
优势
高效率,高功率密度
超高成本/性能比
高可靠性
使用方便
潜在应用
服务器
通信
消费品
计算机电源
适配器
型号
品牌
封装
数量
描述
INFINEON
PG-TSON-8
1000
OptiMOS™ 功率 MOSFET 40 V 逻辑电平,采用 PQFN 5x6 降源封装,具有极低的 RDS(on)
INFINEON
PG-TTFN-9
1000
OptiMOS™ 功率 MOSFET 60 V,采用 PQFN 5x6 mm2 源降封装,具有业界领先的 RDS(on)
答:所有上架的在线商品均可在线即可下单,但也考虑到现货库存流动性比较大,目前还无法做到100%的精准。如有异常,您可以在线联系我公司并给出对应的 解决方案。
答:我们的自营商品均采自合作的国内外原厂或授权代理商,来源均可追溯,确保原装正品。
答:目前我们自营代理的品牌包含TI,ST,ADI,NXP,LATTICE,CYPRESS,INFINEON,XILINX等一线品牌,其他渠道均为原厂及代理渠道。如有需要,我们可以针对具体品牌型号来沟通确认。
答:可以通过网站上询价,也可以通过电话以及邮箱咨询。
答:大部分商品信息中都有标注货期,您可根据货期估计商品的发货时间,具体到货时间根据商品具体所在的仓库、您所选择的物流方式而定。
答:可以为个人用户开具普通发票,也可以为企业用户开具增值税专用发票。
英飞凌科技公司于1999年4月1日在德国慕尼黑正式成立,是全球领先的半导体公司之一。其前身是西门子集团的半导体部门,于1999年独立,2000年上市。其中文名称为亿恒科技,2002年后更名为英飞凌科技。 总部位于德国Neubiberg的英飞凌科技股份公司,为现代社会的三大科技挑…
SAK-TC1791F-512F240EP AB
SAK-TC1791F-512F240EP AB TC1791是一个高性能的微控制器,具有TriCore CPU、程序和数据存储器、总线、总线仲裁、中断控制器、外围控制处理器和DMA控制器以及若干片上外设。TC1791旨在满足最苛刻的嵌入式控制系统应用的需要,在这些应用中,价格/性能、实时响应性、计算能…F3L8MR12W2M1HPB11
F3L8MR12W2M1HPB11 是一款三电平1200 V CoolSiC™ MOSFET Easy模块。EasyPACK™ 2B 1200 V / 8 mΩ 三电平模块,采用具有增强型第一代沟槽技术的CoolSiC™ MOSFET、集成式NTC温度传感器、预涂热界面材料和PressFIT 压接技术。特征12mm高的同类最佳封装将先进的宽禁带WBG芯…FS150R12KT4
FS150R12KT4是英飞凌EconoPACK™3 1200 V、150 A sixpack IGBT 模块,使用快速 TRENCHSTOP™ IGBT4、第四代发射极控制二极管和 NTC温度传感器。IPB038N12N3G
英飞凌 IPB038N12N3G N 沟道 OptiMOS™ 功率 MOSFET 是领先的功率 MOSFET,可提供最高功率密度和高能效解决方案。超低的栅极和输出电荷,以及小尺寸封装中最低的导通电阻,使其成为满足服务器、数据通信和电信应用中稳压器解决方案苛刻要求的理想选择。超快开关控制 FET …CY62157G18-55BVXA
CY62157G18-55BVXA 是一款高性能CMOS低功耗(MoBL ) SRAM器件,内置ECC,采用48-ball VFBGA封装。Infineon MOBL™超可靠异步SRAM的性能可满足各种高可靠性工业、通信、数据处理、医疗、消费和军事应用的需求。规格存储器类型:易失存储器格式:SRAM技术:SRAM - 异步存储容…CY62157G18-55BVXI
CY62157G18-55BVXI是一款高性能CMOS低功耗(MoBL ) SRAM器件,内置ECC,采用48-ball VFBGA封装。Infineon MOBL™超可靠异步SRAM的性能可满足各种高可靠性工业、通信、数据处理、医疗、消费和军事应用的需求。规格存储器类型:易失存储器格式:SRAM技术:SRAM - 异步存储容…电话咨询:86-755-83294757
企业QQ:1668527835/ 2850151598/ 2850151584/ 2850151585
服务时间:9:00-18:00
联系邮箱:chen13410018555@163.com/sales@hkmjd.com
公司地址:广东省深圳市福田区振中路新亚洲国利大厦1239-1241室
CopyRight©2022 版权归明佳达电子公司所有 粤ICP备05062024号-12
官方二维码
友情链接: