功率 MOSFET IQDH88N06LM5CGATMA1 60V 采用 PQFN 5x6 mm2 下源封装。该器件具有业界最低的 0.88 mΩ RDS(ON),并具有出色的热性能,便于功率损耗管理。
特点
尖端硅技术 OptiMOS™ 60 V,具有出色的 FOM
源降封装,具有更高的热性能和超低寄生电阻
源极降低封装,芯片/封装比最大化
采用中心栅基底面的源下式封装
优势
传导损耗最小
降低电压过冲
提高最大电流能力
快速开关
所需的器件并联更少
中心栅极基底面实现了优化并行化
在 5x6 平方毫米印刷电路板面积上实现极低的 RDS(on)
热性能提高,便于热管理
最低封装寄生,实现最佳开关性能
行业标准封装
潜在应用
SMPS
服务器
数据通信
高性能计算
电信
折叠
驱动器
电池供电工具
型号
品牌
封装
数量
描述
INFINEON
PG-TSON-8
1000
OptiMOS™ 功率 MOSFET 40 V 逻辑电平,采用 PQFN 5x6 降源封装,具有极低的 RDS(on)
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CY62157G30-45BVXI 是一款高性能CMOS低功耗(MoBL ) SRAM器件,内置ECC,采用48-ball VFBGA封装。Infineon MOBL™超可靠异步SRAM的性能可满足各种高可靠性工业、通信、数据处理、医疗、消费和军事应用的需求。规格存储器类型:易失存储器格式:SRAM技术:SRAM - 异步存储容…CY62157G30-45ZSX
CY62157G30-45ZSX 是一款8Mb、高性能CMOS低功耗(MoBL ) SRAM器件,内置ECC,采用44-TSOP封装。Infineon MOBL™超可靠异步SRAM的性能可满足各种高可靠性工业、通信、数据处理、医疗、消费和军事应用的需求。规格存储器类型:易失存储器格式:SRAM技术:SRAM - 异步存储容量…CY62157G30-45ZXA
CY62157G30-45ZXA 是一款高性能CMOS低功耗(MoBL ) SRAM器件,内置ECC。Infineon MOBL™超可靠异步SRAM的性能可满足各种高可靠性工业、通信、数据处理、医疗、消费和军事应用的需求。规格存储器类型:易失存储器格式:SRAM技术:SRAM - 异步存储容量:8Mb存储器组织:512K…电话咨询:86-755-83294757
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