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StrongIRFET™ 功率 MOSFET 系列针对低 RDS（导通）和高电流能力进行了优化。这些器件非常适合要求性能和坚固性的低频应用。全面的产品组合可满足包括直流电机、电池管理系统、逆变器和直流-直流转换器在内的广泛应用。

IRFP4110PBF规格：

系列： HEXFET®  

包装： 管件  

零件状态： 在售  

FET 类型： N 通道  

技术： MOSFET（金属氧化物）  

漏源电压（Vdss）： 100 V  

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) ：120A（Tc）  

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） ：10V  

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 4.5 毫欧 @ 75A，10V  

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V @ 250µA  

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） ：210 nC @ 10 V  

Vgs（最大值）： ±20V  

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 9620 pF @ 50 V  

功率耗散（最大值）： 370W（Tc）  

工作温度： -55°C ~ 175°C（TJ）  

安装类型：通孔  

供应商器件封装： TO-247AC  

封装/外壳： TO-247-3 

潜在应用

SMPS

不间断电源

太阳能逆变器

直流电机驱动器

电池供电应用

• 1.平台上看到的库存、价格准确吗？

  答：所有上架的在线商品均可在线即可下单，但也考虑到现货库存流动性比较大，目前还无法做到100%的精准。如有异常，您可以在线联系我公司并给出对应的 解决方案。

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  答：可以通过网站上询价，也可以通过电话以及邮箱咨询。

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  答：可以为个人用户开具普通发票，也可以为企业用户开具增值税专用发票。