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产品分类

嵌入式和网络处理器

图片仅供参考,请参阅产品规格
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商品型号:IPA50R280CE

商品名称:N-通道功率MOSFET

品牌:INFINEON

年份:24+

封装:TO-220-3

货期:全新原装

库存数量:17000

数量:
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公司名称:

技术参数

制造商
INFINEON
型号
IPA50R280CE
封装
TO-220-3
描述
MOSFET N-通道 500V 13A TO220FP-3 CoolMOS CE

产品描述

IPA50R280CE 500V CoolMOS CE 功率晶体管是一个高压功率 MOSFET 技术平台,它根据超级结原理(SJ)进行设计,满足客户要求。全新系列的 CoolMOS™ 成本经优化可满足消费者的典型要求,不牺牲 CoolMOS™ 的高品质和可靠性,同时价格仍有足够吸引力。


IPA50R280CE的规格:

产品种类: MOSFET

技术: Si

安装风格: Through Hole

封装 / 箱体: TO-220FP-3

晶体管极性: N-Channel

通道数量: 1 Channel

Vds-漏源极击穿电压: 500 V

Id-连续漏极电流: 13 A

Rds On-漏源导通电阻: 280 mOhms

Vgs - 栅极-源极电压: - 20 V, + 20 V

Qg-栅极电荷: 32.6 nC

最大工作温度: + 150 C

Pd-功率耗散: 30 W

商标名: CoolMOS

系列: CoolMOS CE

配置: Single

高度: 16.15 mm

长度: 10.65 mm

产品类型: MOSFET

工厂包装数量: 500

子类别: MOSFETs

晶体管类型: 1 N-Channel

宽度: 4.85 mm

单位重量: 2 g


潜在应用

消费者

照明

PC 银盒

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型号

品牌

封装

数量

描述

NTMFS6H801NLT1G

ON

8-PowerTDFN

2000

MOSFET - 功率,单 N 沟道 80V,2.7mΩ

IPF019N12NM6ATMA1

INFINEON

D2PAK-7

1000

全面优化的同类最佳性能晶体管,电压 120 V

IQDH45N04LM6ATMA1

INFINEON

8-PowerTDFN

1000

OptiMOS™ 功率 MOSFET 40 V 逻辑电平,采用 PQFN 5x6 降源封装,具有极低的 RDS(on)

IQDH88N06LM5CGATMA1

INFINEON

9-PowerTDFN

1000

OptiMOS™ 功率 MOSFET 60 V,采用 PQFN 5x6 mm2 源降封装,具有业界领先的 RDS(on)

STL33N60DM6

ST

8-PowerVDFN

2000

表面贴装型 N 通道 600 V 21A(Tc) 150W(Tc) PowerFlat™(8x8)HV

STL26NM60N

ST

8-PowerVDFN

2000

表面贴装型 N 通道 600 V 19 A 125mW(Ta),3W(Tc)PowerFlat™(8x8)HV

STL28N60DM2

ST

8-PowerVDFN

2000

表面贴装型 N 通道 600 V 21A(Tc) 140W(Tc) PowerFlat™(8x8)HV

STL47N60M6

ST

8-PowerVDFN

2000

表面贴装型 N 通道 600 V 31A(Tc) 189W(Tc) PowerFlat™(8x8)HV

STL57N65M5

ST

8-PowerVDFN

2000

表面贴装型 N 通道 650 V 4.3A(Ta),22.5A(Tc) 2.8W(Ta),189W(Tc) PowerFlat™(8x8)HV

STL52N60DM6

ST

8-PowerVDFN

2000

表面贴装型 N 通道 600 V 45A(Tc) 174W(Tc) PowerFlat™(8x8)HV

常见问题

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    答:目前我们自营代理的品牌包含TI,ST,ADI,NXP,LATTICE,CYPRESS,INFINEON,XILINX等一线品牌,其他渠道均为原厂及代理渠道。如有需要,我们可以针对具体品牌型号来沟通确认。

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    答:可以通过网站上询价,也可以通过电话以及邮箱咨询。

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INFINEON

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