NTMFS6H801NLT1G - 80V、2.7mΩ 单 N 沟道功率 MOSFET 晶体管
型号：NTMFS6H801NLT1G
封装：8-PowerTDFN
类型：MOSFET 晶体管
描述：MOSFET - 功率，单 N 沟道 80V，2.7mΩ
产品特性
- 小尺寸（5x6 毫米），适合紧凑型设计
- 低 RDS(on)，将传导损耗降至最低
- 低 QG 和电容，可将驱动器损耗降至最低
- 这些器件无铅，符合 RoHS 规范
- 具有逻辑电平驱动能力
应用
初级 mosfet
同步整流器
电机驱动开关
型号
品牌
封装
数量
描述
INFINEON
8-PowerTDFN
1000
OptiMOS™ 功率 MOSFET 40 V 逻辑电平，采用 PQFN 5x6 降源封装，具有极低的 RDS(on)
INFINEON
9-PowerTDFN
1000
OptiMOS™ 功率 MOSFET 60 V，采用 PQFN 5x6 mm2 源降封装，具有业界领先的 RDS(on)
ST
8-PowerVDFN
2000
表面贴装型 N 通道 650 V 4.3A（Ta），22.5A（Tc） 2.8W（Ta），189W（Tc） PowerFlat™（8x8）HV
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