IAUA250N04S6N008 OptiMOS™ 6功率MOSFET是先进的下一代创新性器件,性能极为出色。OptiMOS 6系列采用薄晶圆技术,显著提升了性能。与同类产品相比,OptiMOS 6功率MOSFET的RDS(ON)降低了30%,并针对同步整流进行了优化。
规格
产品种类: MOSFET
技术: Si
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: HSOF-5-1
晶体管极性: N-Channel
通道数量: 1 Channel
Vds-漏源极击穿电压: 40 V
Id-连续漏极电流: 340 A
Rds On-漏源导通电阻: 800 uOhms
Vgs - 栅极-源极电压: - 20 V, + 20 V
Vgs th-栅源极阈值电压: 3 V
Qg-栅极电荷: 81 nC
最小工作温度: - 55 C
最大工作温度: + 175 C
Pd-功率耗散: 172 W
通道模式: Enhancement
下降时间: 15 ns
湿度敏感性: Yes
上升时间: 14 ns
晶体管类型: 1 N-Channel
典型关闭延迟时间: 22 ns
典型接通延迟时间: 11 ns
特性描述
OptiMOS™ 功率 MOSFET
N 沟道 MOSFET
增强模式 - 正常电平
超越 AEC-Q101 的扩展鉴定
增强型电气测试
稳健的设计
MSL3 峰值回流温度高达 260°C
175°C 工作温度
绿色产品(符合 RoHS 规范)
100% 通过雪崩测试
潜在应用
一般汽车应用:
电动泵和风扇(12 V)
电动汽车充电
型号
品牌
封装
数量
描述
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