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IPD50P04P4L-11 是一款 P 沟道、增强模式、逻辑电平 MOSFET，40V 时最大 RDSon 为 10.6 mΩ。它通过了 AEC 认证，符合 RoHS 规范，适用于反向电池保护和高压侧驱动应用。

IPD50P04P4L-11 产品属性

产品种类: MOSFET

技术: Si

安装风格: SMD/SMT

封装 / 箱体: DPAK-3 (TO-252-3)

晶体管极性: P-Channel

通道数量: 1 Channel

Vds-漏源极击穿电压: 40 V

Id-连续漏极电流: 50 A

Rds On-漏源导通电阻: 17.2 mOhms

Vgs - 栅极-源极电压: - 16 V, + 5 V

Vgs th-栅源极阈值电压: 1.2 V

Qg-栅极电荷: 45 nC

最小工作温度: - 55 C

最大工作温度: + 175 C

Pd-功率耗散: 58 W

通道模式: Enhancement

资格: AEC-Q100

配置: Single

下降时间: 39 ns

高度: 2.3 mm

长度: 6.5 mm

上升时间: 9 ns

系列: XPD50P04

晶体管类型: 1 P-Channel

典型关闭延迟时间: 46 ns

典型接通延迟时间: 12 ns

宽度: 6.22 mm

潜在应用

用于电机桥（半桥、H 桥、三相电机）的高压侧 MOSFET

可使用 40V P 沟道作为高压侧器件实现电桥配置，无需充电泵

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