商品名称：FDMT80060DC
数据手册：
FDMT80060DC.pdf
品牌：ON
年份：23+
封装：8-PowerVDFN
货期：全新原装
库存数量：8000 件
FDMT80060DC在硅和双冷封装技术方面的进步，使其能够提供最低的rDS(on)，同时通过极低的结点-环境热阻保持出色的开关性能。DUAL COOL封装技术相结合，提供了最低的rDS(on)，同时通过极低的结点-环境热阻保持了出色的开关性能。
特点
在 VGS = 10 V、ID = 43 A 时，最大 rDS(on) = 1.1 m
在 VGS = 8 V、ID = 37 A 时，最大 rDS(on) = 1.3 m
先进的封装和硅组合实现了低rDS(on)和高能效
新一代增强型体二极管技术，专为软恢复而设计
扁平的8x8毫米MLP封装
MSL1稳健的封装设计
100%通过UIL测试
该器件不含铅，不含卤化物，符合RoHS标准
应用
OringFET/负载开关
同步整流
直流-直流转换
FDMT80060DC是60 V、292 A、1.1 mΩ MOSFET - N沟道，POWERTRENCH。
型号
品牌
封装
数量
描述
ST
PowerFLAT-4
1000
N 沟道逻辑电平 40 V、最大 2.2 mΩ、167 A STripFET F8 功率 MOSFET，采用 PowerFLAT 5x6 封装
ST
PowerFLAT-4
1000
N 沟道逻辑电平 40 V、最大 2.2 mΩ、167 A STripFET F8 功率 MOSFET，采用 PowerFLAT 5x6 封装
ST
PowerFLAT-4
1000
N 沟道 100 V、5 mΩ typ.、107 A、STripFET™ F7 功率 MOSFET，采用 PowerFLAT™ 5x6 封装
ST
PowerFLAT-4
1000
N 沟道 100 V、最大 3.2 mΩ、158 A STripFET F8 功率 MOSFET，采用 PowerFLAT 5x6 封装
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NVMFD5C672NLT1G 是采用 5x6mm 扁平引线封装的汽车功率 MOSFET，专为紧凑型高效设计而设计，具有高散热性能。提供用于增强光学检测的可润湿侧翼选件。通过 AEC-Q101 认证的 MOSFET，具有 PPAP 能力，适合汽车应用。特点小尺寸（5x6 毫米），适合紧凑型设计低 RDS(on)，将…
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