商品名称：NVH4L080N120SC1
数据手册：
NVH4L080N120SC1.PDF
品牌：ON
年份：23+
封装：TO-247-4
货期：全新原装
库存数量：8500 件
NVH4L080N120SC1低导通电阻和紧凑的芯片尺寸确保了低电容和栅极电荷。因此，系统的优点包括最高的效率、更快的操作频率、增加的功率密度、减少的EMI和减小的系统尺寸。
产品属性
FET型 N沟道
技术 SiCFET（碳化硅）
漏极-源极电压（Vdss）1200 V
电流-25°C时的连续漏极（Id）29A（Tc）
驱动电压（最大Rds开，最小Rds开）20V
功耗（最大）170mW（Tc）
工作温度-55°C~175°C（TJ）
安装类型 通孔
包装/箱 TO-247-4
特征
1200伏@TJ=175°C
100%雪崩测试
低电容高速开关
VGS=20 V，ID=20 A时，最大RDS（开启）=110 m
AEC−Q101合格且具备PPAP能力
集成电路芯片NVH4L080N120SC1 1200V N沟道MOSFET晶体管TO-247-4
型号
品牌
封装
数量
描述
ST
PowerFLAT-4
1000
N 沟道逻辑电平 40 V、最大 2.2 mΩ、167 A STripFET F8 功率 MOSFET，采用 PowerFLAT 5x6 封装
ST
PowerFLAT-4
1000
N 沟道逻辑电平 40 V、最大 2.2 mΩ、167 A STripFET F8 功率 MOSFET，采用 PowerFLAT 5x6 封装
ST
PowerFLAT-4
1000
N 沟道 100 V、5 mΩ typ.、107 A、STripFET™ F7 功率 MOSFET，采用 PowerFLAT™ 5x6 封装
ST
PowerFLAT-4
1000
N 沟道 100 V、最大 3.2 mΩ、158 A STripFET F8 功率 MOSFET，采用 PowerFLAT 5x6 封装
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NVMFD5C672NLT1G 是采用 5x6mm 扁平引线封装的汽车功率 MOSFET，专为紧凑型高效设计而设计，具有高散热性能。提供用于增强光学检测的可润湿侧翼选件。通过 AEC-Q101 认证的 MOSFET，具有 PPAP 能力，适合汽车应用。特点小尺寸（5x6 毫米），适合紧凑型设计低 RDS(on)，将…
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