NTHL125N65S3H属于SUPERFET III MOSFET是安森美半导体的全新高压超级结（SJ）MOSFET系列，采用电荷平衡技术，具有出色的低导通电阻和更低的栅极电荷性能。因此，SUPERFET III FAST MOSFET 系列有助于最大限度地减少各种电源系统并提高系统效率。
产品规格
系列： SuperFET® III
包装： 管件
FET 类型： N 通道
技术：MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）： 650 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) ：24A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 125 毫欧 @ 12A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V @ 2.1mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 44 nC @ 10 V
Vgs（最大值）： ±30V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 2200 pF @ 400 V
功率耗散（最大值）： 171W（Tc）
工作温度： -55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型 通孔
供应商器件封装： TO-247-3
封装/外壳： TO-247-3
应用
电信
云系统
工业应用
型号
品牌
封装
数量
描述
ST
PowerFLAT-4
1000
N 沟道逻辑电平 40 V、最大 2.2 mΩ、167 A STripFET F8 功率 MOSFET，采用 PowerFLAT 5x6 封装
ST
PowerFLAT-4
1000
N 沟道逻辑电平 40 V、最大 2.2 mΩ、167 A STripFET F8 功率 MOSFET，采用 PowerFLAT 5x6 封装
ST
PowerFLAT-4
1000
N 沟道 100 V、5 mΩ typ.、107 A、STripFET™ F7 功率 MOSFET，采用 PowerFLAT™ 5x6 封装
ST
PowerFLAT-4
1000
N 沟道 100 V、最大 3.2 mΩ、158 A STripFET F8 功率 MOSFET，采用 PowerFLAT 5x6 封装
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