NVDS015N15MCT4G - 采用 TO-252-3 封装的 150V N 沟道屏蔽栅极功率沟槽 MOSFET 晶体管
型号：NVDS015N15MCT4G
封装：TO-252-3
类型：MOSFET 晶体管
描述：MOSFET - N 通道、屏蔽栅极、功率沟槽 150V
产品概览
NVDS015N15MCT4G - 采用 DPAK 封装的汽车功率 MOSFET，专为紧凑型高效设计而设计，具有高散热性能。鸥翼引线可提高板级可靠性能。通过 AEC-Q101 认证的 MOSFET，具有 PPAP 能力，适合汽车应用。
产品特性
- 屏蔽门 MOSFET 技术
- 在 VGS = 10 V、ID = 29 A 时，最大 RDS(on) = 15 m
- 低 RDS（导通），最大限度地减少传导损耗
- 低电容，将驱动器损耗降至最低
- 优化栅极电荷，将开关损耗降至最低
- 通过 AEC-Q101 认证，符合 PPAP 要求
- 符合 RoHS 规范
典型应用
- 用于 48 V 隔离总线的初级侧
- 用于中压二次应用的 SR
型号
品牌
封装
数量
描述
ST
PowerFLAT-4
1000
N 沟道逻辑电平 40 V、最大 2.2 mΩ、167 A STripFET F8 功率 MOSFET，采用 PowerFLAT 5x6 封装
ST
PowerFLAT-4
1000
N 沟道逻辑电平 40 V、最大 2.2 mΩ、167 A STripFET F8 功率 MOSFET，采用 PowerFLAT 5x6 封装
ST
PowerFLAT-4
1000
N 沟道 100 V、5 mΩ typ.、107 A、STripFET™ F7 功率 MOSFET，采用 PowerFLAT™ 5x6 封装
ST
PowerFLAT-4
1000
N 沟道 100 V、最大 3.2 mΩ、158 A STripFET F8 功率 MOSFET，采用 PowerFLAT 5x6 封装
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