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NTLJS17D0P03P8ZTAG P沟道MOSFET是-30V、11.3mΩ单P沟道功率MOSFET，具有低RDS(on) 值和低电容，可最大限度地降低导通和驱动器损耗。该MOSFET具有2mm × 2mm的小尺寸，设计紧凑。典型应用包括电池管理、保护和电力负荷开关。

产品属性

FET 类型：P 通道

技术：MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss）：30 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：7A（Ta）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：4.5V，10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：11.3 毫欧 @ 10A，10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：3V @ 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）：38 nC @ 10 V

Vgs（最大值）：±25V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：1600 pF @ 15 V

FET 功能：-

功率耗散（最大值）：860mW（Ta）

工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）

安装类型：表面贴装型

供应商器件封装：6-PQFN（2x2）

封装/外壳：6-PowerWDFN

基本产品编号：NTLJS17

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