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嵌入式和网络处理器

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SCT025W120G3-4AG
ST

产品说明:通孔 N 通道 1200 V 56A(Tc) 388W(Tc) TO-247-4

封装:TO-247-4
10起
1000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
SCT027W65G3-4AG
ST

产品说明:通孔 N 通道 650 V 60A(Tc) 313W(Tc) TO-247-4

封装:TO-247-4
10起
1000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
SCT015W120G3-4AG
ST

产品说明:汽车级碳化硅功率 MOSFET 1200 V,典型值 15 mΩ,129 A 采用 HiP247-4 封装

封装:TO-247-4
10起
1000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
SCTWA40N12G24AG
ST

产品说明:汽车级碳化硅功率 MOSFET 1200 V,典型值 75 mΩ,33 A 采用 HiP247-4 封装

封装:TO-247-4
10起
1000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
SCT070W120G3-4AG
ST

产品说明:汽车级碳化硅功率 MOSFET 1200 V,典型值 63 mΩ,30 A 采用 HiP247-4 封装

封装:TO-247-4
10起
1000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
STL320N4F8
ST

产品说明:表面贴装型 N 通道 40 V PowerFlat™(5x6)

封装:8-PowerDFN
10起
1000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
STL325N4F8AG
ST

产品说明:表面贴装型 N 通道 40 V 373A(Tc) 188W(Tc) PowerFlat™(5x6)

封装:8-PowerVDFN
10起
1000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
TN4035HA-8GY
ST

产品说明:SCR 800 V 40 A 标准恢复型 表面贴装型 D2PAK

封装:TO-263-3
10起
1000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
STPS40150CGY
ST

产品说明:汽车用 150 V、2 x 20 A 高压肖特基整流器

封装:TO-263-3
10起
1000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
STPSC10H065DLF
ST

产品说明:650 V 10 A 功率肖特基碳化硅二极管

封装:PowerFLAT 8x8
10起
1000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
STPSC2H12B2Y
ST

产品说明:汽车用 1200 V、2 A 高浪涌碳化硅二极管

封装:TO-252-3
10起
1000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
STPS60A150CS1
ST

产品说明:Rad-Hard 2 x 30 A - 150 V 肖特基整流器

封装:SMD
10起
1000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
1N5819UB1
ST

产品说明:肖特基二极管与整流器 Aerospace 45 V 功率肖特基整流器 - 工程模型

封装:LCC-2B
10起
1000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
1N5822UB1
ST

产品说明:采用 LCC-2B 封装的 Aerospace 40 V 3 A 肖特基功率整流器

封装:LCC-2B
10起
1000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
STPS30H60CGY
ST

产品说明:意法半导体汽车功率肖特基二极管

封装:TO-263-3
10起
1000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
STPSC12065GY
ST

产品说明:肖特基二极管和整流器 汽车用 650 V、TO-220 D2PAK SiC 功率肖特基二极管

封装:TO-263-3
10起
1000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
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