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产品说明:STMicroelectronics STPSC 650V肖特基碳化硅二极管
封装:TO-263-3产品说明:表面贴装型 N 通道 600 V 21A(Tc) 150W(Tc) PowerFlat™(8x8)HV
封装:8-PowerVDFN产品说明:IGBT 沟槽型场截止 650 V 60 A 258 W 通孔 TO247
封装:TO-247产品说明:带超高速二极管 IGBT 600 V 52 A 208 W 通孔 TO247
封装:TO-247产品说明:IGBT 沟槽型场截止 650 V 80 A 283 W 通孔 TO-3P
封装:TO-3P产品说明:IGBT 沟槽型场截止 650 V 20 A 30 W 通孔 TO-220FP
封装:TO-220FP产品说明:IGBT 沟槽型场截止 650 V 8 A 23 W 通孔 TO-220FP
封装:TO-220FP产品说明:IGBT 沟槽型场截止 600 V 60 A 260 W 通孔 TO-220
封装:TO-220产品说明:N 沟道 1200 V 65A (Tc) 318W (Tc) 通孔
封装:TO-247-3产品说明:IGBT 沟槽型场截止 600 V 60 A 260 W 通孔 TO-247 长引线
封装:TO-247-3产品说明:IGBT 沟槽型场截止 650 V 120 A 468 W 通孔 TO-247 长引线
封装:TO-247-3产品说明:IGBT 沟槽型场截止 650 V 100 A 300 W 通孔 TO-247 长引线
封装:TO-247-3产品说明:IGBT 沟槽型场截止 600 V 60 A 260 W 通孔 TO-220
封装:TO-220-3产品说明:IGBT 沟槽型场截止 650V 20A 115W 表面贴装型 D²PAK(TO-263)
封装:TO-263-3产品说明:IGBT 600V 15A 65W 表面贴装型 D2PAK
封装:TO-263-3电话咨询:86-755-83294757
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