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STL325N4F8AG N 沟道功率 MOSFET 采用 STripFET F8 技术，具有增强型沟槽栅结构。它能确保极低的导通电阻，同时降低内部电容和栅极电荷，从而实现更快、更高效的开关。

产品属性

FET 类型：N 通道

技术：MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss）：40 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：373A（Tc）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）；4.5V，10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：0.75 毫欧 @ 60A，10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：2V @ 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）：95 nC @ 10 V

Vgs（最大值）：±16V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：7657 pF @ 25 V

功率耗散（最大值）：188W（Tc）

工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）

安装类型：表面贴装型

供应商器件封装：PowerFlat™（5x6）

封装/外壳：8-PowerVDFN

• 1.平台上看到的库存、价格准确吗？

  答：所有上架的在线商品均可在线即可下单，但也考虑到现货库存流动性比较大，目前还无法做到100%的精准。如有异常，您可以在线联系我公司并给出对应的 解决方案。

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  答：我们的自营商品均采自合作的国内外原厂或授权代理商，来源均可追溯，确保原装正品。

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  答：目前我们自营代理的品牌包含TI，ST，ADI，NXP，LATTICE，CYPRESS，INFINEON，XILINX等一线品牌，其他渠道均为原厂及代理渠道。如有需要，我们可以针对具体品牌型号来沟通确认。

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  答：可以通过网站上询价，也可以通过电话以及邮箱咨询。

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  答：大部分商品信息中都有标注货期，您可根据货期估计商品的发货时间，具体到货时间根据商品具体所在的仓库、您所选择的物流方式而定。

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  答：可以为个人用户开具普通发票，也可以为企业用户开具增值税专用发票。