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STPSC10H065DLF这款 10 A、650 V SiC 二极管是一款超高性能功率肖特基二极管。它采用碳化硅衬底制造。由于采用了宽带隙材料，因此可以设计出额定电压为 650 V 的肖特基二极管结构。由于采用了肖特基结构，因此在关断时不会出现恢复，振铃模式也可以忽略不计。最小电容关断行为与温度无关。采用 PowerFLAT 8x8 HV 扁平封装，可在电信和网络、工业或可再生能源等低空间环境中实现与高浪涌能力相关的低正向压降。

产品属性

技术：SiC（Silicon Carbide）Schottky

电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）：650 V

电流 - 平均整流 (Io)：10A

不同 If 时电压 - 正向 (Vf)：1.55 V @ 10 A

速度：无恢复时间 > 500mA（Io）

反向恢复时间 (trr)：0 ns

不同 Vr 时电流 - 反向泄漏：100 µA @ 650 V

不同 Vr、F 时电容：595pF @ 0V，1MHz

安装类型：表面贴装型

封装/外壳：8-PowerVDFN

供应商器件封装：PowerFlat™（8x8）HV

工作温度 - 结：-40°C ~ 175°C

应用

● 升压 PFC

● 自举二极管

● LLC 箝位功能

● 高频逆变器应用

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  答：所有上架的在线商品均可在线即可下单，但也考虑到现货库存流动性比较大，目前还无法做到100%的精准。如有异常，您可以在线联系我公司并给出对应的 解决方案。

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  答：我们的自营商品均采自合作的国内外原厂或授权代理商，来源均可追溯，确保原装正品。

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