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SCT070W120G3-4AG碳化硅功率 MOSFET 器件采用意法半导体先进的创新型第三代 SiC MOSFET 技术。该器件在整个温度范围内具有极低的 RDS(on)，同时具有低电容和极高的开关操作，从而提高了应用在频率、能效和系统性能方面的性能。

产品属性

FET 类型：N 通道

技术：SiC（碳化硅结晶体管）

漏源电压（Vdss）：1200 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：30A（Tc）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：15V，18V

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：87 毫欧 @ 15A，18V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：4.2V @ 1mA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）：41 nC @ 18 V

Vgs（最大值）：+18V，-5V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：900 pF @ 850 V

功率耗散（最大值）：236W（Tc）

工作温度：-55°C ~ 200°C（TJ）

等级：汽车级

资质：AEC-Q100

安装类型：通孔

供应商器件封装：TO-247-4

封装/外壳：TO-247-4

应用

● 主逆变器（电力牵引）

● 用于电动汽车/混合动力汽车的 DC/DC 转换器

● 车载充电器 (OBC)

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