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产品说明:N 沟道 800V 16A (Tc) 35W (Tc) 通孔 TO-220FP
封装:TO-220-3产品说明:N 沟道 900V 20A (Tc) 40W (Tc) 通孔 TO-220FP
封装:TO-220-3产品说明:N 沟道 800V 24A (Tc) 250W (Tc) 表面贴装 TO-263 (D2PAK)
封装:TO-263-3产品说明:N 沟道 600V 28A (Tc) 210W (Tc) 表面贴装 TO-263 (D2PAK)
封装:TO-263-3产品说明:N 沟道 100V 180A (Tc) 315W (Tc) 表面贴装 H2PAK-6
封装:TO-263-7产品说明:汽车级双 N 沟道 STripFET™ F7 功率 MOSFET 晶体管
封装:8-PowerVDFN产品说明:N 沟道 650V 24mΩ 84A MDmesh M5 功率 MOSFET 晶体管
封装:TO-247-3产品说明:N 沟道 650V 19.9mΩ 92A MDmesh M9 功率 MOSFET 晶体管
封装:TO-247-3产品说明:沟槽栅场截止 650 V、60 A 高速 HB 系列 IGBT 晶体管
封装:TO-247-4产品说明:H 系列 1200V 15A 高速沟槽栅场截止 IGBT 晶体管
封装:TO-247-3产品说明:IGBT 600 V 23 A 25 W 通孔 TO-220FP
封装:TO-220-3电话咨询:86-755-83294757
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