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产品说明:N 沟道逻辑电平 40 V、最大 2.2 mΩ、167 A STripFET F8 功率 MOSFET,采用 PowerFLAT 5x6 封装
封装:PowerFLAT-4产品说明:N 沟道逻辑电平 40 V、最大 2.2 mΩ、167 A STripFET F8 功率 MOSFET,采用 PowerFLAT 5x6 封装
封装:PowerFLAT-4产品说明:汽车 N 沟道增强模式逻辑电平 40 V、最大 0.75 mΩ、373 A STripFET F8 功率 MOSFET
封装:PowerFLAT-4产品说明:N 沟道 100 V、5 mΩ typ.、107 A、STripFET™ F7 功率 MOSFET,采用 PowerFLAT™ 5x6 封装
封装:PowerFLAT-4产品说明:N 沟道增强模式逻辑电平 40 V、最大 0.8 mΩ、360 A、STripFET F8 功率 MOSFET
封装:PowerFLAT-4产品说明:N 沟道 100 V、最大 3.2 mΩ、158 A STripFET F8 功率 MOSFET,采用 PowerFLAT 5x6 封装
封装:PowerFLAT-4产品说明:RF JFET 晶体管 270W GaN HEMT 48V 2496 to 2690MHz
封装:H-87265J-2产品说明:IGBT 模块 沟槽型场截止 三级反相器 1200 V 140 A 280 W 底座安装
封装:模块产品说明:IGBT 沟槽型场截止 600 V 8 A 75 W 表面贴装型 DPAK(TO-252)类型 C2
封装:TO-252产品说明:IGBT 沟槽型场截止 650 V 80 A 283 W 通孔 TO-247 长引线
封装:TO-247-3产品说明:通孔 N 通道 1200 V 69A(Tc) 326W(Tc) PG-TO247-4-11
封装:PG-TO247-4-11产品说明:通孔 N 通道 1200 V 17A(Tc) 109W(Tc) PG-TO247-4-14
封装:PG-TO247-4-14产品说明:通孔 N 通道 1200 V 31A(Tc) 169W(Tc) PG-TO247-4-14
封装:PG-TO247-4-14电话咨询:86-755-83294757
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