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产品说明:IGBT 420 V 30 A 150 W 表面贴装型 D2PAK
封装:TO-263-3产品说明:IGBT 440 V 20 A 150 W 表面贴装型 D2PAK
封装:TO-263-3产品说明:IGBT 600 V 18 A 62.5 W 表面贴装型 DPAK
封装:TO-252-3产品说明:IGBT 沟槽型场截止 650 V 216 A 714 W 表面贴装型 9-ACEPACK SMIT
封装:SMD产品说明:N沟道600 V、60 mΩ(典型值)、42 A MDmesh M2功率MOSFET,采用TO-247封装
封装:TO-247-3产品说明:汽车级650 V、200 A沟槽栅场截止M系列IGBT晶片,D8封装
封装:D8产品说明:汽车100 V,2 A SOD123平面功率肖特基整流器
封装:SOD-123F产品说明:二极管 阵列 1对 共阴极1200V 38A 通孔 TO-247-3
封装:TO-247-3产品说明:二极管 1200V 20A 表面贴装 D²PAK
封装:TO-263-3产品说明:1200V功率肖特基碳化硅二极管
封装:DO-247-2产品说明:N沟道600 V、0.175 Ohm典型值、15 A MDmesh M6功率MOSFET
封装:QFN产品说明:ACEPACK 2电源模块三电平拓扑,1200V,13mOhm典型值,配备NTC的第二代SiC Power MOSFET
封装:MODULE产品说明:ACEPACK 2电源模块四单元拓扑,1200V,13mOhm典型值,配备NTC的第二代SiC Power MOFET
封装:MODULE电话咨询:86-755-83294757
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