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嵌入式和网络处理器

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STGB18N40LZT4
ST

产品说明:IGBT 420 V 30 A 150 W 表面贴装型 D2PAK

封装:TO-263-3
10起
1000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
STGB10NB40LZT4
ST

产品说明:IGBT 440 V 20 A 150 W 表面贴装型 D2PAK

封装:TO-263-3
10起
1000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
STGD10HF60KD
ST

产品说明:IGBT 600 V 18 A 62.5 W 表面贴装型 DPAK

封装:TO-252-3
10起
1000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
STGSB200M65DF2AG
ST

产品说明:IGBT 沟槽型场截止 650 V 216 A 714 W 表面贴装型 9-ACEPACK SMIT

封装:SMD
10起
1000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
STW48N60M2
ST

产品说明:N沟道600 V、60 mΩ(典型值)、42 A MDmesh M2功率MOSFET,采用TO-247封装

封装:TO-247-3
10起
12000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
STG200M65F2D8AG
ST

产品说明:汽车级650 V、200 A沟槽栅场截止M系列IGBT晶片,D8封装

封装:D8
10起
1000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
STPS2H100ZFY
ST

产品说明:汽车100 V,2 A SOD123平面功率肖特基整流器

封装:SOD-123F
10起
10000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
STPSC40H12CWL
ST

产品说明:二极管 阵列 1对 共阴极1200V 38A 通孔 TO-247-3

封装:TO-247-3
10起
1000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
STPSC20H12G-TR
ST

产品说明:二极管 1200V 20A 表面贴装 D²PAK

封装:TO-263-3
10起
2000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
STPSC20H12WL
ST

产品说明:1200V功率肖特基碳化硅二极管

封装:DO-247-2
10起
1000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
STL24N60M6
ST

产品说明:N沟道600 V、0.175 Ohm典型值、15 A MDmesh M6功率MOSFET

封装:QFN
0起
3000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
A2U12M12W2-F2
ST

产品说明:ACEPACK 2电源模块三电平拓扑,1200V,13mOhm典型值,配备NTC的第二代SiC Power MOSFET

封装:MODULE
10起
1100
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
A2F12M12W2-F1
ST

产品说明:ACEPACK 2电源模块四单元拓扑,1200V,13mOhm典型值,配备NTC的第二代SiC Power MOFET

封装:MODULE
10起
1100
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
共189记录«上一页1... 89101112下一页»
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