STL76DN4LF7AG 是双 N 沟道功率 MOSFET，采用 STripFET™ F7 技术，具有增强型沟槽栅极结构，导通电阻极低，同时还降低了内部电容和栅极电荷，从而实现更快、更高效的开关。
特点
通过 AEC-Q101 认证
是市场上 RDS（导通）最低的器件之一
出色的 FoM（优点系数）
抗电磁干扰的低 Crss/Ciss 比率
高雪崩坚固性
可润湿侧面封装
应用
开关应用
型号
品牌
封装
数量
描述
Microchip
Module
1000
MOSFET - 阵列 1700V（1.7kV），1200V（1.2kV） 337A（Tc），317A（Tc） 1.492kW（Tc） 底座安装
Microchip
Module
1000
MOSFET - 阵列 1200V（1.2kV），700V 472A（Tc），442A（Tc） 1.846kW（Tc），1.161kW（Tc） 底座安装
Microchip
Module
10000
MOSFET - 阵列 1700V（1.7kV），1200V（1.2kV） 124A（Tc），89A（Tc） 602W（Tc），395W（Tc） 底座安装
Microchip
Module
1000
MOSFET - 阵列 1200V（1.2kV），700V 317A（Tc），227A（Tc） 1.253kW（Tc），613W（Tc） 底座安装
Microchip
Module
1000
MOSFET - 阵列 1200V（1.2kV），700V 89A（Tc），124A（Tc） 395W（Tc），365W（Tc） 底座安装
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意法半导体（ST）集团于1987年成立，是由意大利的SGS微电子公司和法国Thomson半导体公司合并而成。1998年5月，SGS-THOMSON Microelectronics将公司名称改为意法半导体有限公司。意法半导体是世界最大的半导体公司之一。公司2019年全年净营收95.6亿美元; 毛利率38.7%；营业…
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ST25R100-CMET
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这款 N 沟道功率 MOSFET 采用 STripFET™ F7 技术，具有增强型沟槽栅极结构，导通电阻极低，同时还能降低内部电容和栅极电荷，从而实现更快、更高效的开关。
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这款 N 沟道功率 MOSFET 采用 STripFET F8 技术，具有增强型沟槽栅极结构。电话咨询：86-755-83294757
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