STN3P10F6是采用 STripFET™ F6 技术开发的 P 沟道功率 MOSFET,具有新型沟槽栅极结构。由此产生的功率 MOSFET 在所有封装中都具有极低的 RDS(on)。
产品属性
FET 类型:P 通道
技术:MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss):100 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):3A
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值):180 毫欧 @ 1.5A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值):4V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值):16.5 nC @ 10 V
Vgs(最大值):±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值):900 pF @ 25 V
功率耗散(最大值):3.3W
工作温度:-55°C ~ 175°C
安装类型:表面贴装型
供应商器件封装:SOT-223
封装/外壳:TO-261-4,TO-261AA
应用
● 开关应用
型号
品牌
封装
数量
描述
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这款 N 沟道功率 MOSFET 采用 STripFET F8 技术,具有增强型沟槽栅结构。电话咨询:86-755-83294757
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