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GAN039-650NTBZ

产品说明:氮化镓 (GaN) FET 表面贴装型 N 通道 650 V 58.5A(Tc) 250W(Tc) CCPAK1212i

封装:CCPAK1212i
10起
3000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
GAN039-650NBBHP

产品说明:氮化镓 (GaN) FET 表面贴装型 N 通道 650 V 60A(Tc) 300W(Tc) CCPAK1212

封装:CCPAK1212
10起
3000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
GANB4R8-040CBAZ

产品说明:氮化镓 (GaN) FET 表面贴装型 N 通道 40 V 20A(Ta) 13W(Ta) 22-WLCSP(2.1x2.1)

封装:WLCSP-22
10起
3000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
GANE3R9-150QBAZ

产品说明:氮化镓 (GaN) FET 表面贴装型 N 通道 150 V 100A(Ta) 65W(Ta)VQFN

封装:VQFN-7
10起
3000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
NSF060120D7A0J

产品说明:碳化硅 (SiC) MOSFET N 通道 1200 V 38A(Tc) 167W(Tc) TO-263-7

封装:TO-263-7
10起
3000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
NSF040120L4A0Q

产品说明:碳化硅 (SiC) MOSFET 通孔 N 通道 1200 V 65A(Tc) 306W(Tc) TO-247-4

封装:TO-247-4
10起
3000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
NSF040120D7A0J

产品说明:碳化硅 (SiC) MOSFET N 通道 1200 V 65A(Tc) 306W(Tc) TO-263-7

封装:TO-263-7
10起
3000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
NSF030120D7A0J

产品说明:碳化硅 (SiC) MOSFET N 通道 1200 V 67A(Tc) 306W(Tc) TO-263-7

封装:TO-263-7
10起
3000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
NSF080120D7A0J

产品说明:碳化硅 (SiC) MOSFET N 通道 1200 V 33A(Tc) 167W(Tc) TO-263-7

封装:TO-263-7
10起
3000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
NSF080120L4A0Q

产品说明:碳化硅 (SiC) MOSFET 通孔 N 通道 1200 V 35A(Tc) 183W(Tc) TO-247-4

封装:TO-247-4
10起
3000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
PSMN2R3-100SSEJ

产品说明:采用 LFPAK88 的 N 沟道 100 V、2.3 mOhm MOSFET,具有增强型 SOA

封装:LFPAK88
10起
5000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
BUK7V4R2-40HX

产品说明:MOSFET - 阵列 40V 98A(Ta) 85W(Ta) 表面贴装型 LFPAK56D

封装:LFPAK56D
10起
1000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
BUK7J1R4-40HX

产品说明:表面贴装型 N 通道 40 V 120A(Ta) 395W(Ta) LFPAK56; Power-SO8

封装:LFPAK56
10起
1000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
BUK7K32-100EX

产品说明:MOSFET - 阵列 100V 29A 64W 表面贴装型 LFPAK56D

封装:LFPAK56D
10起
1000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
BUK9M4R3-40HX

产品说明:表面贴装型 N 通道 40 V 95A(Ta) 90W LFPAK33

封装:LFPAK33
10起
1000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
BUK7S1R0-40HJ

产品说明:表面贴装型 N 通道 40 V 325A(Ta) 375W(Ta) LFPAK88(SOT1235)

封装:LFPAK88
10起
1000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
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