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产品说明：650 V，75 A 沟槽型场截止IGBT，带全额定硅二极管
封装：TO-247-3
产品说明：氮化镓 (GaN) FET 表面贴装型 N 通道 650 V 58.5A（Tc） 250W（Tc） CCPAK1212i
封装：CCPAK1212i
产品说明：氮化镓 (GaN) FET 表面贴装型 N 通道 650 V 60A（Tc） 300W（Tc） CCPAK1212
封装：CCPAK1212
产品说明：氮化镓 (GaN) FET 表面贴装型 N 通道 40 V 20A（Ta） 13W（Ta） 22-WLCSP（2.1x2.1）
封装：WLCSP-22
产品说明：氮化镓 (GaN) FET 表面贴装型 N 通道 150 V 100A（Ta） 65W（Ta）VQFN
封装：VQFN-7
产品说明：碳化硅 (SiC) MOSFET N 通道 1200 V 38A（Tc） 167W（Tc） TO-263-7
封装：TO-263-7
产品说明：碳化硅 (SiC) MOSFET 通孔 N 通道 1200 V 65A（Tc） 306W（Tc） TO-247-4
封装：TO-247-4
产品说明：碳化硅 (SiC) MOSFET N 通道 1200 V 65A（Tc） 306W（Tc） TO-263-7
封装：TO-263-7
产品说明：碳化硅 (SiC) MOSFET N 通道 1200 V 67A（Tc） 306W（Tc） TO-263-7
封装：TO-263-7
产品说明：碳化硅 (SiC) MOSFET N 通道 1200 V 33A（Tc） 167W（Tc） TO-263-7
封装：TO-263-7
产品说明：碳化硅 (SiC) MOSFET 通孔 N 通道 1200 V 35A（Tc） 183W（Tc） TO-247-4
封装：TO-247-4
产品说明：采用 LFPAK88 的 N 沟道 100 V、2.3 mOhm MOSFET，具有增强型 SOA
封装：LFPAK88
产品说明：MOSFET - 阵列 40V 98A（Ta） 85W（Ta） 表面贴装型 LFPAK56D
封装：LFPAK56D
产品说明：表面贴装型 N 通道 40 V 120A（Ta） 395W（Ta） LFPAK56; Power-SO8
封装：LFPAK56
产品说明：MOSFET - 阵列 100V 29A 64W 表面贴装型 LFPAK56D
封装：LFPAK56D
产品说明：表面贴装型 N 通道 40 V 95A（Ta） 90W LFPAK33
封装：LFPAK33电话咨询：86-755-83294757
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