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产品分类

AI 处理器

AI 加速器

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商品型号:PSMN2R3-100SSEJ

商品名称:功率 MOSFET

品牌:Nexperia

年份:24+

封装:LFPAK88

货期:全新原装

库存数量:5000

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技术参数

制造商
Nexperia
型号
PSMN2R3-100SSEJ
封装
LFPAK88
描述
采用 LFPAK88 的 N 沟道 100 V、2.3 mOhm MOSFET,具有增强型 SOA

产品描述

PSMN2R3-100SSEJ采用高可靠性铜夹 LFPAK88 封装,具有极低的 RDSon 和增强的安全工作区性能。


PSMN2R3-100SSEJ与最新的 “热插拔 ”控制器相得益彰--其坚固性足以承受接通时的巨大浪涌电流,低 RDSon 可最大限度地降低 I2R 损耗,并在完全接通时提供最佳效率。


产品属性

FET 类型: N 通道  

技术: MOSFET(金属氧化物)  

漏源电压(Vdss): 100 V  

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 255A(Tc)  

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 10V  

不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 2.2 毫欧 @ 25A,10V  

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 4V @ 1mA  

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 160 nC @ 10 V  

Vgs(最大值): ±20V  

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 17200 pF @ 50 V  

功率耗散(最大值): 341W(Tc)  

工作温度: -55°C ~ 175°C(TJ)   

安装类型: 表面贴装型  

供应商器件封装: LFPAK88(SOT1235) 


应用

热插拔

负载开关

软启动

电子保险丝

基于 48 V 背板/电源轨的电信系统

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型号

品牌

封装

数量

描述

IAUC120N06S5N032

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40V,汽车 MOSFET 晶体管 - OptiMOS™ 7 功率晶体管

常见问题

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    答:所有上架的在线商品均可在线即可下单,但也考虑到现货库存流动性比较大,目前还无法做到100%的精准。如有异常,您可以在线联系我公司并给出对应的 解决方案。

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Nexperia

Nexperia

安世半导体(中国)有限公司 Nexperia是全球领先的分立式器件、逻辑器件与MOSFET器件的专业制造商。公司于2017年初独立。Nexperia极为重视效率,生产大批量性能可靠稳定的半导体元件,每年生产1,000多亿件性能可靠稳定的半导体元件。公司拥有丰富的产品组合,能够满足汽车…

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