NSF040120D7A0J是一款基于碳化硅的1200 V功率MOSFET,采用标准7引脚TO-263塑料封装(用于表面贴装PCB技术),具有出色的RDSon 温度稳定性。该款MOSFET非常适合用于大功率和高压工业应用,包括电动汽车充电基础设施、光伏逆变器和电机驱动器。
NSF040120D7A0J的规格:
通道模式:Enhancement
配置:Single
下降时间:8 ns
Id-连续漏极电流:65 A
最大工作温度:+ 175°C
最小工作温度:- 55°C
安装风格:SMD/SMT
通道数量:1 Channel
封装 / 箱体:TO-263-7
封装:Reel
封装:Cut Tape
封装:MouseReel
Pd-功率耗散:306 W
产品类型:SiC MOSFETS
Qg-栅极电荷:95 nC
Rds On-漏源导通电阻:40 mOhms
上升时间:23 ns
工厂包装数量:800
子类别:Transistors
技术:SiC
晶体管极性:N-Channel
典型关闭延迟时间:20 ns
典型接通延迟时间:21 ns
Vds-漏源极击穿电压:1.2 kV
Vgs - 栅极-源极电压:- 10 V, + 22 V
Vgs th-栅源极阈值电压:2.9 V
型号
品牌
封装
数量
描述
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