NSF040120L4A0Q是一款基于碳化硅（SiC）的1200V功率MOSFET，采用成熟的4引脚TO-247塑料封装，具有出色的漏源导通电阻温度稳定性。该系列具有低开关损耗、快速反向恢复和快速开关速度。典型应用包括电动汽车（ev）充电基础设施、光伏逆变器、开关模式电源（SMPS）、不间断电源和电机驱动器。
NSF040120L4A0Q的规格：
通道模式：Enhancement
下降时间：8 ns
正向跨导 - 最小值：19 S
Id-连续漏极电流：65 A
最大工作温度：+ 175°C
最小工作温度：- 55°C
安装风格：Through Hole
通道数量：1 Channel
封装 / 箱体：TO-247-4
Pd-功率耗散：306 W
产品类型：SiC MOSFETS
Qg-栅极电荷：95 nC
Rds On-漏源导通电阻：60 mOhms
上升时间：24 ns
工厂包装数量：450
子类别：Transistors
技术：SiC
晶体管极性：N-Channel
典型关闭延迟时间：22 ns
典型接通延迟时间：22 ns
Vds-漏源极击穿电压：1.2 kV
Vgs - 栅极-源极电压：- 10 V, + 22 V
Vgs th-栅源极阈值电压：2.9 V
型号
品牌
封装
数量
描述
Microchip
TO-263-7
3000
碳化硅 (SiC) MOSFET 表面贴装型 N 通道 1200 V 43A（Tc） 268W（Tc） TO-263-7
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