品牌:
产品图片
规格型号
品牌
参数描述
起订量
库存
购买数量
单价
操作
产品说明:IGBT 模块 沟槽型场截止 三级反相器 650 V 200 A 底座安装
封装:模块产品说明:采用 TO-247-3 封装的 CoolSiC™ MOSFET 650 V G2
封装:TO-247-3产品说明:采用TO-263-7封装的第二代1200V CoolSiC™ MOSFET
封装:TO-263-7产品说明:EasyPACK™ 1B 1200 V、33 mΩ和3 MPPT 碳化硅 MOSFET 模块
封装:Module产品说明:EasyPACK™ 1B 1200 V, 27 mΩ和2 MPPT 升压型 碳化硅 MOSFET 模块
封装:Module产品说明:600V CoolMOS™ 8 功率 MOSFET 晶体管
封装:TO-247-3产品说明:用于中等性能汽车应用的 XENSIV™ 数字 MEMS 麦克风
封装:PG-TLGA-5产品说明:Wi-Fi 6/6E 三频 2x2 Wi-Fi 和蓝牙 5.3 SoC
封装:WLBGA-225产品说明:Wi-Fi 6/6E 三频 2x2 Wi-Fi 和蓝牙 5.3 SoC
封装:FCFBGA-289产品说明:高性能 XENSIV™ 数字 MEMS 麦克风,PG-TLGA-5
封装:PG-TLGA-5产品说明:Wi-Fi 6E 三频 Wi-Fi 和蓝牙 5.3 SoC
封装:WLBGA-225产品说明:Wi-Fi 6E 三频 Wi-Fi 和蓝牙 5.3 SoC
封装:FCFBGA-289产品说明:Wi-Fi 6 双频 2x2 Wi-Fi 和蓝牙 5.3 SoC
封装:WLBGA-225电话咨询:86-755-83294757
企业QQ:1668527835/ 2850151598/ 2850151584/ 2850151585
服务时间:9:00-18:00
联系邮箱:chen13410018555@163.com/sales@hkmjd.com
公司地址:广东省深圳市福田区振中路新亚洲国利大厦1239-1241室
CopyRight©2022 版权归明佳达电子公司所有 粤ICP备05062024号-12
官方二维码
友情链接: