IMBG120R026M2H是采用TO-263-7封装的第二代1200V CoolSiC™ MOSFET。
说明:
这款第二代1200 V、26 mΩ CoolSiC™ MOSFET采用D2PAK-7L(TO-263-7)封装,它在第一代技术优势的基础上进行了改进,可加快系统设计,提供更经济、高效、紧凑且可靠的解决方案。第二代技术在应用于硬开关和软开关拓扑结构的关键性能方面做出了显著改进,适用于各种常见的AC-DC、DC-DC和DC-AC级组合。
IMBG120R026M2H的特性:
RDS(on)= 25.4 mΩ,VGS = 18V,Tvj = 25°C
非常低的开关损耗
过载时结温(Tvj)可达200°C
可承受2 µs的短路
基准栅极阈值电压VGS(th) = 4.2V
具有坚固耐用的体二极管,适用于硬换向
采用.XT互连技术,可实现优异的热性能
IMBG120R026M2H的应用:
电动汽车充电
在线UPS/工业UPS
串逆变器
通用驱动器(GPD)
型号
品牌
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描述
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特点 - F435MR07W1D7S8B11• 电气特性- VDSS = 650 V- IDN = 35 A / IDRM = 70 A- 开关损耗低- 低电感设计- 集成缓冲器• 机械特性- PressFIT 触点技术- 集成 NTC 温度传感器- 集成安装夹具,安装牢固参数 - F435MR07W1D7S8B11制造商: Infineon 产品种类: IGBT 模块 配置…电话咨询:86-755-83294757
企业QQ:1668527835/ 2850151598/ 2850151584/ 2850151585
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